Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 

這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、R_DS(on)和溫度等參數(shù)之間的相互作用。然后將以表格或圖形的形式動態(tài)顯示這些參數(shù)對器件行為的綜合影響。因此，Nexperia的交互式數(shù)據(jù)手冊可以減少工程師執(zhí)行手動計算或設(shè)置和調(diào)試電路仿真所需的時間，從而顯著提高生產(chǎn)力。 

當(dāng)設(shè)計工程師想要為某個應(yīng)用選擇器件時，他們首先會想到查閱數(shù)據(jù)手冊。然而，數(shù)據(jù)手冊中包含了大量信息，包括數(shù)十個器件參數(shù)的最小、最大和典型規(guī)格，通常難以確定這些參數(shù)之間的關(guān)系。因此，工程師必須進行耗時的手動計算或使用制造商提供的模型（假設(shè)這些模型可用）建立電路仿真器，以全面了解器件行為。即便如此，許多制造商的仿真模型也不會顯示溫度變化對器件行為的影響。在Nexperia推出的新型交互式數(shù)據(jù)手冊中，通過簡單易用的數(shù)據(jù)手冊滑塊，工程師可以手動更改參數(shù)來顯示不同參數(shù)的實時交互。 

Nexperia功率MOSFET業(yè)務(wù)部高級總監(jiān)Chris Boyce表示：“我們新推出的交互式數(shù)據(jù)手冊適用范圍非常廣，無論是希望了解器件高溫性能的設(shè)計工程師，還是想要在不同的測試條件下對器件進行比較的元件工程師，都能幫助他們更輕松地完成工作。” 

這些數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)原理與Nexperia獲得巨大成功的精密電熱MOSFET模型中使用的技術(shù)相同，可以充分展示分立MOSFET的行為如何隨溫度變化。新型交互式數(shù)據(jù)手冊除了具備傳統(tǒng)靜態(tài)數(shù)據(jù)手冊功能，還可在任何標準網(wǎng)頁瀏覽器中運行，不需要額外的器件仿真軟件。 

目前，交互式數(shù)據(jù)手冊初始版本正在申請專利，Nexperia將聯(lián)系全球客戶工程師社區(qū)，評估交互式數(shù)據(jù)手冊的實時使用情況，以擴展未來版本的功能。 

目前已有200多個交互式數(shù)據(jù)手冊，涵蓋了Nexperia最新一代汽車和工業(yè)功率MOSFET中的器件。Nexperia計劃將陸續(xù)推出完整的分立MOSFET產(chǎn)品組合和其他器件的交互式數(shù)據(jù)手冊。