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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

—— 業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商
作者: 時(shí)間:2023-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

奈梅亨,2023510基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode增強(qiáng)型功率GaN FET。在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。 

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202305/446410.htm

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Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 VE-mode GaN FETRDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之間),提供DFN 5x6 mmDFN 8x8 mm兩種封裝。這些產(chǎn)品可在高電壓(<650 V)、低功率的數(shù)據(jù)通訊/電信、消費(fèi)類充電、太陽(yáng)能和工業(yè)應(yīng)用中提高電源轉(zhuǎn)換效率,還可用于高精度無刷直流電機(jī)和緊湊型服務(wù)器設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)更高扭矩和更大功率。 

Nexperia現(xiàn)還提供采用WLCSP8封裝的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封裝的150 V (7 m?) GaN FET。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應(yīng)用,例如,數(shù)據(jù)中心使用的高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、快速充電(電動(dòng)出行類和USB-C類)、小尺寸LiDAR收發(fā)器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費(fèi)類設(shè)備(如手機(jī)、筆記本電腦和游戲主機(jī))。 

在許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實(shí)現(xiàn)更高的功率效率,從而顯著降低物料(BOM)成本。因此,GaN器件在主流電力電子市場(chǎng)逐漸得到了廣泛應(yīng)用,包括服務(wù)器計(jì)算、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)類應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施?;?/span>GaN的器件具備快速轉(zhuǎn)換/開關(guān)能力(高dv/dtdi/dt),可在低功率和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供出色的效率。NexperiaE-mode GaN FET具有出色的開關(guān)性能,這得益于極低的QgQOSS值,并且低RDS(on)有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率效率設(shè)計(jì)。 

這些新器件進(jìn)一步擴(kuò)充了Nexperia豐富的GaN FET產(chǎn)品系列,適合各種功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。產(chǎn)品組合包括支持高電壓、高功率應(yīng)用的級(jí)聯(lián)器件,支持高電壓、低功率應(yīng)用的650 V E-mode器件和支持低電壓、高功率應(yīng)用的100/150 V E-mode器件。此外,Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圓生產(chǎn)線制造以提高產(chǎn)能,符合工業(yè)級(jí)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。NexperiaGaN器件產(chǎn)品系列不斷擴(kuò)充,充分體現(xiàn)了Nexperia堅(jiān)守承諾,促進(jìn)優(yōu)質(zhì)硅器件和寬禁帶技術(shù)發(fā)展的決心。



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