Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度

 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? R_DS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的R_DS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。

Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil Massey評論道：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低R_DS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中，從而提高功率密度，縮小器件管腳尺寸?！?/span>

這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm，具有領(lǐng)先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開關(guān)工作。在1 ms、20 V_DS的工作條件下，由于芯片和封裝的組合，SOA為35 A，而在10 ms、20 V_DS的工作條件下，此時封裝將起主導(dǎo)作用，SOA為17 A。這些數(shù)據(jù)優(yōu)于競品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強I_D電流額定值500 A，與其他競品不同的是，該值是測量得出的極限，而非理論上的極限。

憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢，設(shè)計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件，從而簡化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標(biāo)準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規(guī)標(biāo)準要求兩倍的可靠性，適合制動、助力轉(zhuǎn)向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機控制應(yīng)用。工業(yè)PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動工具、電器、風(fēng)扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開關(guān)應(yīng)用。