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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

—— 瑞薩全新晶圓技術(shù)可以幫助MOSFET實現(xiàn)導通電阻降低30%、柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標
作者: 時間:2025-01-09 來源:EEPW 收藏

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關(guān)性能?;谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源(UPS)等多個領(lǐng)域。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202501/466182.htm

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瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝(REXFET-1)使新產(chǎn)品的導通電阻(MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻)大幅降低30%;更低的導通電阻有助于顯著降低客戶系統(tǒng)設(shè)計中的功率損耗。

REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性(向柵極施加電壓所需的電荷量)降低10%,Qgd(在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量)減少40%。

除了優(yōu)秀的電氣特性外,瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標準TOLL和TOLG封裝,與其它制造商的器件引腳兼容,且封裝尺寸比傳統(tǒng)TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks,便于光學檢測。

Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示:“多年來,瑞薩在MOSFET領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢,憑借我們強大的制造能力和多個高產(chǎn)能工廠的供貨保障,瑞薩致力于為客戶提供卓越的產(chǎn)品和服務。”

成功產(chǎn)品組合

瑞薩將全新MOSFET與其產(chǎn)品組合中的眾多器件相結(jié)合,推出多種“成功產(chǎn)品組合”方案,包括48V電動平臺和三合一電動汽車單元(逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器)等。這些方案基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品,具備經(jīng)驗證的系統(tǒng)架構(gòu)并帶來經(jīng)優(yōu)化的低風險設(shè)計,以加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產(chǎn)品陣容中的各類產(chǎn)品,推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”,使客戶能夠加速設(shè)計過程,更快地將產(chǎn)品推向市場。

供貨信息

RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET現(xiàn)已量產(chǎn)。瑞薩還提供帶有應用說明的參考設(shè)計,以幫助客戶縮短設(shè)計周期。



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