- 日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現亮眼。
東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。
平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據日經調查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
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東芝 NAND
- 據韓國經濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產的48層3D NAND Flash產品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產;以12吋晶圓計算的月產能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產比重也將提高至整體NAND Flash的15%。
業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產48層產品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產的業(yè)者。
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SK海力士 NAND
- 根據彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導體生產公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經完全走出過去因作假帳所造成的經營低潮期。
根據報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據彭博社的統計資料顯示
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東芝 NAND
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優(yōu)先選擇。
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3D NAND SSD
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產品開發(fā)設計保駕護航
以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
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NAND SSD
- 嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統，并闡述具體的設計思想。
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Flash NAND FAT 文件系統
- 隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內人士，反復解讀。
那么，在價格上起著關鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。
閃存顆粒的釋義及廠商
閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區(qū)塊為單
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NAND 存儲器
- 隨著嵌入式系統產品的發(fā)展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。
要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大
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存儲器 NAND
- 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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Flash NAND 扇區(qū)管理
- 全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。
巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業(yè)界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
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西數 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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