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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

作者: 時(shí)間:2016-11-10 來(lái)源:Digitimes 收藏

  據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),傳聞(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)端認(rèn)證,最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片,3D Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體Flash的15%。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201611/340002.htm

  業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術(shù)瓶頸,將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。

  由于3D NAND Flash性能上的優(yōu)點(diǎn),業(yè)界普遍認(rèn)為不久的未來(lái)將成為3D NAND Flash時(shí)代。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)估,存儲(chǔ)器業(yè)者的3D NAND Flash生產(chǎn)比重將由2015年6.7%逐年提高,2016年為23.6%,2017年為57.8%。

  表示,研發(fā)團(tuán)隊(duì)正順利進(jìn)行下一代72層3D NAND產(chǎn)品研發(fā),預(yù)估可在2017年下半投產(chǎn)。為此,公司決定將2015年8月完工的利川M14工廠二樓作為3D NAND專(zhuān)用廠房,目前正進(jìn)行無(wú)塵室施工,2017年產(chǎn)線稼動(dòng)后,3D NAND的產(chǎn)量可望大幅提升。

  SK海力士相關(guān)人士表示,DRAM占整體公司營(yíng)收70%,48層3D NAND Flash量產(chǎn)之后,應(yīng)可降低DRAM的營(yíng)收占比,讓獲利結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定。



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