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nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

NAND閃存市場(chǎng)2009年將漲三倍

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)In-Stat預(yù)測(cè)，到2009年時(shí)NAND閃存的市場(chǎng)規(guī)模將從2004年的50億美元增長(zhǎng)到180億美元。　　NAND閃存由于在存儲(chǔ)容量和價(jià)格上頗具優(yōu)勢(shì)，因此主要應(yīng)用在存儲(chǔ)卡和U盤(pán)上面。據(jù)In-Stat稱(chēng)，由于消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)于成本非常敏感，因此NAND閃存在存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上仍將大有作為。　　In-Stat高級(jí)研究員Frank Dickson表示：“由于市場(chǎng)需求旺盛，閃存市場(chǎng)發(fā)展非常迅速，NAND閃存當(dāng)然也不例外。”
關(guān)鍵字： NAND

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]