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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
關鍵字：三星 V-NAND

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。　　關于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國先驅報(
關鍵字：東芝 3D NAND

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
關鍵字： 3D NAND 美光

2016年下半3D NAND供應商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術優(yōu)勢

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產(chǎn)能與技術優(yōu)勢。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
關鍵字：三星 3D NAND

三星3D V-NAND 32層對48層僅僅是垂直層面的擴展？

　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
關鍵字：三星 V-NAND

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
關鍵字： 3D NAND 半導體

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
關鍵字： NAND Flash

中國成為全球新建晶圓廠主要推手

　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。　　　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
關鍵字：晶圓 NAND

三星否認擴產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%

　　據(jù)韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。　　barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉換為3D。　　另外，三星也將善用Line
關鍵字：三星 NAND

中國半導體成效驚人包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

　　中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能，預估有超過一半都將來自中國。　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
關鍵字：半導體 NAND

NAND需求好轉將帶動DRAM市場趨于健康

　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產(chǎn)能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。　　創(chuàng)見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。　　威剛董事長陳立白日
關鍵字： NAND DRAM

從Nand特性談其燒錄關鍵點

　　為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎? 　　 ? 　　一、Nand flash的特性　　1、位翻轉　　在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數(shù)據(jù)值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
關鍵字： Nand 燒錄

中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)

存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢？
關鍵字：存儲器 NAND

2016年第一季NAND品牌營收排行榜

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
關鍵字： NAND 英特爾

下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
關鍵字： NAND Flash

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]