nand 文章進入nand技術社區(qū)

3D NAND/TLC Flash添力　SSD加速觸及價格甜蜜點

　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統硬碟的產品，驅動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。　　慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
關鍵字： 3D NAND SSD

NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。　　BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
關鍵字：三星 NAND flash

Stifel：3D NAND技術看起來很美好但成本會持續(xù)多年居高不下

　　近年來，固態(tài)硬盤似乎已經成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術前進。與傳統的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發(fā)現：為了實現這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產和銷售后減退多少。　　 ? 　　影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產，比以往要復雜得
關鍵字： 3D NAND SSD

閃存容量突破性進展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。　　這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。　　　　當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
關鍵字：英特爾 NAND

閃存容量突破性進展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。　　這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。　　 ? 　　當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
關鍵字：英特爾鎂光 3D NAND

東芝擴大符合e ?MMC5.1版標準的嵌入式NAND閃存產品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯合會) e?MMC? 版 5.1[1]標準、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產品。新產品集成了采用15nm工藝技術制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數字消費產品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。16GB和64GB產品樣品即日起出貨，32G
關鍵字：東芝 NAND

東芝：智社會人為本，我做到了

　　雖然東芝的宣傳口號是“智社會人為本，以科技應人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細觀看東芝強大產品陣容之后，我倒更愿意用“半導體技術溫暖你的心”來形容它。因為東芝的很多設計確實很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。　　東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產品需求，一是以量價為中心的產品，另一種是以提高附加值為中心的產品。東芝有非常寬廣的產品線來滿足以上兩種市場的需求。　　東芝展位　　存儲產品解決方案　　東
關鍵字：東芝 LED NAND

閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產

　　全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產，于2016年進行規(guī)?；虡I(yè)生產。　　閃迪存儲技術部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。我們以第一代3D NAND技術為基礎，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
關鍵字：閃迪 NAND

TLC產品今年將接近NAND整體產出之五成

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產出的一半。　　DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
關鍵字： TLC NAND

性價比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應用版圖急擴張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
關鍵字：三星 TLC NAND

EMC：新技術沖擊導致傳統業(yè)務節(jié)節(jié)敗退

　　由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務則及時趕上，填補了這部分市場空間。　　William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內容總結。　　EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
關鍵字： EMC NAND

大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

　　中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
關鍵字： DRAM NAND Flash

3D NAND堆疊競爭鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產系統獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發(fā)和生產作業(yè)。　　據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術。半導體業(yè)界的技術競爭焦點從制程微細化，轉變?yōu)榇怪倍?/li>
關鍵字： NAND 三星

美光開放日：引領互聯世界存儲潮流

　　近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實現未來互聯世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內專家、學者和媒體共同分享公司在該領域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。　　美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網絡建設、機器對機器、移動設備、云和大數據五大應用領域，提供全球最廣泛的存儲產品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
關鍵字：美光存儲器 NAND 201503

美光與希捷宣布成立策略聯盟

　　希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協議，設立一結合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術之架構。在此協議的架構基礎上，雙方客戶能夠同時受益于領先業(yè)界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現創(chuàng)新。　　盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數年的結盟協議在未來將有機會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
關鍵字：美光希捷 NAND

共1113條 34/75 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 » ›|

nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]