nand 文章 最新資訊
研調:12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后,不再采取積極價格戰(zhàn),使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面,因模組廠預期此波價格跌勢將持續(xù),再加上手中庫存仍充足下,大多傾向12月月底再進行采購談判,以爭取更優(yōu)惠的價格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結束后,受到季節(jié)性因素影響,預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
- 關鍵字: NAND Flash eMMC
東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術加速市場化
- 2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動下表現出價格穩(wěn)定、需求強勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下,新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流,三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現尤為出色。據市場調研機構TrendForce最新報告,2014年第三季度東芝NAND Flash產品營收環(huán)比大增23.7%,穩(wěn)居世界前二位,其中15nm新制程的產出比重持續(xù)增加。 在今年的高交會上,記者也對東芝新制程的存儲
- 關鍵字: 東芝 NAND Flash TransferJet
NAND吃緊!花旗:三星、hTC將學蘋果加大智能機容量
- Investor.com 3日報導,花旗發(fā)表研究報告指出,三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量,這會提高市場對SanDisk產品的需求。 費城半導體指數成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 根據報告,花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
- 關鍵字: 花旗 三星 NAND Flash
分析師:2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調查顯示, NAND Flash 成本隨著制程演進而持續(xù)下滑,各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長,估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%,至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季,相較之下上半年缺少新產品刺激市場,受淡季效應影響情況將較為顯著,因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是
- 關鍵字: TrendForce NAND Flash SSD
2015年NAND Flash產業(yè)持續(xù)向上,產值成長超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示, NAND Flash成本隨著制程演進而持續(xù)下滑,各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長,2015年NAND Flash產值將較2014年成長12%,達276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新產品刺激市場,受淡季效應影響情況將較為顯著,因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是上半年
- 關鍵字: NAND Flash SSD
SSD 2年內價格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格,2年內下滑一半。由于NAND Flash產能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑,SSD應用范圍逐漸擴大,有加速普及的傾向。 據韓聯(lián)社引用市調機構IHS資料報導,256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價格226美元相比,跌幅更達45.1%,意即最近2年內SSD價格幾乎砍
- 關鍵字: SSD NAND Flash
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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