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無NAND之地:閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心?

作者: 時間:2014-12-11 來源:互聯(lián)網(wǎng) 收藏
編者按:  NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示,磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。


本文引用地址:http://2s4d.com/article/266684.htm

  整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。

  著眼于全球范圍,的生產(chǎn)與出貨能力仍然遠遠落后于磁盤驅(qū)動器的生產(chǎn)與出貨能力。分析企業(yè)尼古拉斯公司利用其自有與Gartner展望結(jié)論,就這兩類存儲方案在2018年的整體容量作出以下預(yù)測。

  代工成本的基礎(chǔ)水平至少為150億美元,如此規(guī)模的投入金額更像是國家級別的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)項目、而非企業(yè)能夠負(fù)擔(dān)的制造設(shè)施支出。舉例而言,英國連接倫敦與伯明翰之間的HS2高鐵也僅僅為160億英鎊(約合250億美元)——去年六月這一金額被修正為220億美元(約合340億美元)。

  除非能夠找到萬無一失的盈利手段同,否則沒有哪家企業(yè)愿意承擔(dān)如此沉重資金壓力做出這樣的決定。而DRAM與業(yè)界的以往盈利表現(xiàn)只能用傷痕累累來形容,因此從業(yè)企業(yè)在對待資金投入時更需要格外小心。

  而真正的大問題還在于每GB使用成本方面。以疊瓦式、TDMR(即二維磁記錄)以及HAMR(即熱輔助磁記錄)為代表的新型磁盤技術(shù)正進一步提高磁盤驅(qū)動器中單一碟片的存儲密度,從而以超越技術(shù)的迅猛態(tài)勢實現(xiàn)每GB使用成本削減。

  幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。從以上圖表可以明確看到,3D NAND這種將單元層彼此堆疊的實施方式并不能為的容量帶來足以與市場匹配的提升速度,而每GB使用成本的下降節(jié)奏也有些遲緩——與此同時,磁盤容量上限卻在不斷突破。

  只需經(jīng)過簡單計算,我們就能發(fā)現(xiàn)SSD容量增速要想在2018年跟上磁盤的發(fā)展節(jié)奏,那么屆時代工能力需要達到現(xiàn)有水平的八倍左右。假設(shè)具體涉及二十套代工基礎(chǔ)設(shè)施,則意味著整個行業(yè)需要投入3000億美元——而這還僅僅是初步估計。真正的數(shù)字甚至有可能達到5000億美元上下。

  這種情況很明顯不會出現(xiàn)。因此我們可以確定,存儲容量依然需要以磁盤為主導(dǎo),直到固態(tài)半導(dǎo)體制造技術(shù)能夠具備遠低于當(dāng)前的生產(chǎn)成本水平。



關(guān)鍵詞: NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存

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