nand 文章進入nand技術社區(qū)

DRAM樂觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
關鍵字： DRAM 三星海力士 NAND Flash

東芝擴充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎

　　據(jù)國外媒體報道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補充說
關鍵字：東芝 NAND

中國“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時代到來等，都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
關鍵字：東芝三星 NAND

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

　　在設計及推廣用于固態(tài)存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器相比不僅運行速度更
關鍵字：慧榮科技 NAND BGA

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術百花齊放

　　由于閃存技術的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
關鍵字： NAND MLC TLC

研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結束后，受到季節(jié)性因素影響，預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
關鍵字： NAND Flash eMMC

三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國時報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。　　據(jù)報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
關鍵字：三星 SK 海力士美光 NAND

東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術加速市場化

　　2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動下表現(xiàn)出價格穩(wěn)定、需求強勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場調(diào)研機構TrendForce最新報告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。　　在今年的高交會上，記者也對東芝新制程的存儲
關鍵字：東芝 NAND Flash TransferJet

無NAND之地：閃存無法占領數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
關鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心閃存

NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學蘋果加大智能機容量

　　Investor.com 3日報導，花旗發(fā)表研究報告指出，三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量，這會提高市場對SanDisk產(chǎn)品的需求。　　費城半導體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。　　根據(jù)報告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
關鍵字：花旗三星 NAND Flash

分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，至276億美元。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此預估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
關鍵字： TrendForce NAND Flash SSD

SSD價格快速下滑　普及化只剩時間問題

　　固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術逐漸擴散，帶動儲存容量擴大，并加速SSD大眾化時代的來臨。　　據(jù)ET News報導，SSD將形成半導體新市場，價格跌幅相當明顯。外電引用市調(diào)機構IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。　　南韓業(yè)界認為，目前價格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價格將降低至50美元以下。　　南韓Woor
關鍵字： 3D NAND SSD TLC

2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長超過10%

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，達276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于終端產(chǎn)品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
關鍵字： NAND Flash SSD

三星半導體份額增長與Intel差距史上最小

　　韓聯(lián)社首爾11月30日電市場調(diào)查機構HIS本月30日發(fā)布的一份調(diào)查報告顯示，預計今年三星電子半導體銷售額同比劇增15.6%，將達382.73億美元，其全球市場份額同比上升0.6個百分點，將達10.9%，穩(wěn)居全球第二。　　同期，美國半導體巨頭因特爾的半導體銷售額同比增長6.3%，將達499.64億美元，雖然占據(jù)世界第一的位置，但其全球市場份額逐年下降，預計今年的市場份額同比下滑0.4個百分點，為14.2%。由此，三星電子和因特爾的市場份額相差僅為3.3個百分點，縮小至歷史最低值。　　三星電子和
關鍵字：三星 Intel NAND

SSD 2年內(nèi)價格砍半　每GB首度跌破0.5美元

　　次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格，2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產(chǎn)行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應用范圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。　　據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機構IHS資料報導，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價格226美元相比，跌幅更達45.1%，意即最近2年內(nèi)SSD價格幾乎砍
關鍵字： SSD NAND Flash

共1113條 36/75 |‹ « 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 » ›|

nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]