鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。

　　鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內智能手機的內存容量可能會達到如今 PC 的水平，具體來說，大概在 2020 年就會觸及 1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動設備 3D 閃存芯片的發(fā)展路線圖。

　　與傳統(tǒng)的 2D NAND 水平排布儲存單元不同，3D NAND 使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。

　　3D NAND 閃存芯片技術并非鎂光獨有，英特爾和三星都已經在 SSD 上應用了這種技術，相關產品的容量只會越來越大。