面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。

　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。

　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，兩者合并將為大陸記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展開(kāi)啟新的局面，同時(shí)也會(huì)對(duì)全球記憶體市場(chǎng)帶來(lái)莫大影響。

　　先前武漢新芯與美國(guó)材料半導(dǎo)體業(yè)者Spansion共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)，擁有量產(chǎn)32層堆疊晶片的技術(shù)能力，目前武漢新芯則計(jì)劃投資240億美元興建晶圓廠。

　　面對(duì)大陸的積極追趕，三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)進(jìn)行西安工廠的相關(guān)投資，同時(shí)也加緊興建位于南韓的平澤工廠，欲將其打造為全球最大規(guī)模的單一產(chǎn)線，用于投入3D NAND Flash量產(chǎn)。三星在平澤廠區(qū)的投資金額上看15.6兆韓元(約140億美元)。

　　SK海力士(SK Hynix)在南韓利川興建的M14工廠，預(yù)定從2017年第1季起，進(jìn)行3D NAND Flash二階段量產(chǎn)。目前M11與M12產(chǎn)線已用于生產(chǎn)3D NAND Flash，若再加上M14產(chǎn)線，3D NAND產(chǎn)能可望進(jìn)一步提升。

　　東芝(Toshiba)與威騰(WD)合作，計(jì)劃在日本三重縣四日市新廠房的第二產(chǎn)線量產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品;四日市工廠曾因2010年大地震中斷記憶體產(chǎn)品生產(chǎn)。至于美光(Micron)則計(jì)劃擴(kuò)大新加坡10X工廠生產(chǎn)NAND Flash產(chǎn)品，同時(shí)與華亞科合作，加緊追趕東芝與三星。