nand 閃存 文章 最新資訊
IHS:2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%
- 根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報(bào)告,全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚(yáng)17%,達(dá)到了56.34億美元的營收,結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。 2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達(dá)到了202.11億美元。其中,三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商,兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外,美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。 三星在2012年第四季的
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NAND閃存去年第四季度意外增長

- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報(bào),2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄,結(jié)束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。 2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元,比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看,這種環(huán)比增長具有重要意義:一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢,二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。 三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上,名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元,
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2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)溫和增長
- 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元,相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%,達(dá)到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后,預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長,智能終端、電視與計(jì)算等關(guān)鍵消費(fèi)電子產(chǎn)品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。 智能終端 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降,緣于消費(fèi)者在電子產(chǎn)品上面的支出不振,尤其是電腦采購將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%,但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過了艱辛的2012年,近期在美國經(jīng)濟(jì)成長逐漸獲得改善之際,領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長,但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗,對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下,市場分析員依然謹(jǐn)慎看待我國今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何,在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下,國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
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分析:iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告,雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛,但由于超級本銷售仍然低迷,使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年,閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過,經(jīng)過去年的低迷期,今年收益將有所增長,達(dá)到224億美元,并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存,大容量傳輸?shù)男阅?。?012年,蘋果iPhone是NAND的
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世界最快閃存有顆“武漢芯”
- 不到兩個指甲蓋大小的芯片,內(nèi)存達(dá)8GB,讀取一部4GB的高清電影,僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存,已在武漢誕生。29日,市長唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司,該公司透露,這種最新式的閃存,將在今年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 “我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點(diǎn),往前推進(jìn)?!眲倓偮男挛錆h新芯CEO的楊士寧說,“我們?yōu)槊绹旧a(chǎn)的閃存,是最快、容量最高的NOR閃存。” 此外,武漢新芯擬投資6.35億美元,將原每月3萬片的12
- 關(guān)鍵字: 武漢新芯 閃存 45納米
LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績

- LSI公司(NYSE:LSI)日前公布四季度業(yè)績以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績。
- 關(guān)鍵字: LSI 閃存 網(wǎng)絡(luò)
nand 閃存介紹
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