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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工

  • 　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%

  • ? 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營運(yùn)沒有受到影響，現(xiàn)貨價(jià)格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力

  • 應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時(shí)特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲在一個(gè)單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
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NOR市場仍有可為 需找尋平衡點(diǎn)

  • 　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風(fēng)的NOR來說無疑是一大利好。這一技術(shù)對NOR閃存的市場發(fā)展會(huì)帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會(huì)發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。 　　NOR技術(shù)仍在進(jìn)步 　　截至2020年，每個(gè)用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到7臺左右，實(shí)現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設(shè)備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  • 　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 　　不過還是有個(gè)變通方法
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LSI AIS峰會(huì)變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機(jī)遇

  • LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國召開第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(huì)(AIS)。個(gè)人和企業(yè)使用越來越多的設(shè)備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內(nèi)容，這個(gè)現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時(shí)給數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
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存儲器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

  • 　　最近半導(dǎo)體廠商第三季度財(cái)報(bào)陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個(gè)季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動(dòng)不止的市場中保持正增長，未來存儲器市場格局將如何演變?為此，《中國電子報(bào)》記者獨(dú)家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會(huì)成員John Kispert。 　　貢獻(xiàn)來自NOR和新NAND閃存 　　談及Spansion增長的動(dòng)力，John Kispert坦言，業(yè)績穩(wěn)定增長主要是因?yàn)镹O
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在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

  • 在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRA
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大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 1 引 言　　隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、mp3音樂播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
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Spansion公司發(fā)布2012年第三季度財(cái)報(bào)

  • 行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前發(fā)布截至2012年9月30日第三財(cái)季的運(yùn)營成果。
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存

  • 　　提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)與國內(nèi)主要的智能卡設(shè)計(jì)公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。 　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡介

  • 閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡介,簡介嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器。閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU程序代碼
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

  • 閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU
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賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

  • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
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蘋果和亞馬遜從閃存上賺了我們多少錢?

  • ?　　蘋果的iPad和亞馬遜的KindleFire除了在外觀和給人的第一印象有著諸多不同，還有這一個(gè)很重要的差異：為了獲得更大的儲存容量，用戶需要支付的金額不同。盡管如此，無論是蘋果還是亞馬遜都將從中獲取了暴利，這也是他們利潤的最大組成部分。
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nand 閃存介紹

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