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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

nand 閃存 文章 最新資訊

PMC推出完整的12Gb/s SAS存儲解決方案提升SSD閃存性能

  • 引領大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲，提供創(chuàng)新半導體解決方案的PMC?公司(納斯達克代碼：PMCS)今天宣布推出適用于高性能服務器和網(wǎng)聯(lián)存儲的Adaptec? 8系列 12Gb/s SAS RAID陣列卡。
  • 關鍵字： PMC  SSD  閃存  RAID  

采取多元化戰(zhàn)略，加強在華合作

  • 編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關鍵字： 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

  • 　　三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。 　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

半導體廠擴產(chǎn) 力成進補

  • 　　不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 　　研究機構統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
  • 關鍵字： 半導體  NAND  

Spansion拓寬串行閃存產(chǎn)品線

  • 行業(yè)領先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布投產(chǎn)新的產(chǎn)品系列，即 16 Mb、32 Mb 與 64 Mb Spansion? FL-1K 串行閃存。
  • 關鍵字： Spansio  嵌入式  閃存  

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內(nèi)存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
  • 關鍵字： IHS  NAND  

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領域

  • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
  • 關鍵字： IHS  SSD  NAND  HDD  

PMC并購IDT公司贏取市場先機確立閃存領導地位

  • 大數(shù)據(jù)時代下能夠減少延遲、增加帶寬和降低存儲成本的技術將受到格外的重視，其中最為重要的就是閃存技術的出現(xiàn)和普及。而基于閃存技術的SSD相較硬盤，可將I/O性能提升近2000倍，同時降低延遲至百分之一以下，并大幅提升帶寬。
  • 關鍵字： PMC  閃存  IDT  控制器  

LSI引領大數(shù)據(jù)時代的渠道轉型

  • 2013年7月12日，LSI公司宣布全新的渠道戰(zhàn)略計劃，將面向存儲和網(wǎng)絡加速解決方案，在中國構建強大的渠道體系。這一渠道計劃包括五大戰(zhàn)略舉措：
  • 關鍵字： LSI  閃存  Nytro  

LSI宣布構建最新渠道體系，滿足大數(shù)據(jù)增長需求

  • LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布，將在中國構建強大且面向存儲和網(wǎng)絡加速解決方案的渠道體系的戰(zhàn)略。為此LSI提出了五大渠道戰(zhàn)略：
  • 關鍵字： LSI  閃存  

芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好

  • 　　據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預期落空，但明年的前景要光明得多。 　　SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計，2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營收將猛增21%。 　　當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
  • 關鍵字： 芯片制造  NAND  

2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  • 　　根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預計芯片制造設備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。 　　這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。 　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
  • 關鍵字： 芯片制造  NAND  

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  • 　　導語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。 　　以下為文章全文： 　　重新掌握主動 　　隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  • 　　7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。 　　在高端產(chǎn)品領域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。 　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
  • 關鍵字： 內(nèi)存芯片  NAND  

NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

  • 　　存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。 　　根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查，由于全球4大供應商近一年來沒有擴產(chǎn)動作，加上制程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
  • 關鍵字： SSD  NAND  
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nand 閃存介紹

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