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為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

  • 中心議題: 同步整流基礎(chǔ)知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案: 確定優(yōu)化MOSFET的負載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
    1. 引言

    電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標準越來越嚴格,
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

  • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能 (上接第
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Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
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快速二極管MOSFET在三相逆變器拓撲中的應(yīng)用

  • 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應(yīng)用

  • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,
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Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項,使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應(yīng)商。
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AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

  •   日前,集設(shè)計,開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應(yīng)商AOS半導體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。   新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊,適用于便攜式產(chǎn)品,例如:平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機及便攜式音樂播放器。   AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
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采用開關(guān)器件提高PFC效率

  • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗,甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少MOSFET的開關(guān)損...
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在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

  • 開關(guān)電源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇,即開關(guān)管和整流...
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飛兆半導體在線設(shè)計和模擬工具

  • 當前,設(shè)計人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計反激電路的挑戰(zhàn),現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW),這款工具可讓設(shè)計人員無需應(yīng)用指南,也可以像電源專家一樣進行“自動化設(shè)計”、優(yōu)化或“先進設(shè)計”。
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MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器

  • 概述  MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關(guān)的性能。
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理解功率 MOSFET 的電流

  • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對于許多電子工程師來說,他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應(yīng)用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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