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意法半導(dǎo)體發(fā)布新抗輻射加固器件，提高航天應(yīng)用能效

  • 為了進(jìn)一步擴(kuò)大航天級(jí)抗輻射加固功率器件的產(chǎn)品組合，意法半導(dǎo)體近日推出了新的已通過ESCC（歐洲航天元器件協(xié)調(diào)委員會(huì)）認(rèn)證的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效應(yīng)的肖特基整流管。新推出的?抗輻射加固肖特基二極管?包括SEB耐量高達(dá)61MeV/cm2/mg LET (線性能量傳遞)的45V和150V產(chǎn)品，這兩款產(chǎn)品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產(chǎn)品，適用于多種轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹?50V和45V產(chǎn)品都可以直連100V和28V衛(wèi)星電源總線。在40A/125°C時(shí)，1
  • 關(guān)鍵字： SEB  半導(dǎo)體  

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
  • 關(guān)鍵字： 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  
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seb介紹

SEB是singl event burnout的縮寫，中文譯為單粒子燒毀 Single event burnout (SEB) is a condition that can cause devicedestruction due to a high current state in a power transistor. SEBcauses the device to fail perma [ 查看詳細(xì) ]

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