jfet-mosfet 文章最新資訊

固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以優(yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離?；?CT 的固態(tài)隔離器（SSI）包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個(gè)部分包含一個(gè)線圈，兩個(gè)線圈由二氧化硅（SiO2）介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個(gè)線圈之間傳輸信號(hào)。該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動(dòng)器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競爭產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢(shì)，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
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選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時(shí)候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對(duì)于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應(yīng)用的角度，來看我們選擇一個(gè)開關(guān)的器件，當(dāng)選擇了一個(gè)MOSFET之后，他并不是一個(gè)完全理想的開關(guān)器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們?cè)偻ㄟ^微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導(dǎo)致這些參數(shù)的原因
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評(píng)估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
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Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會(huì)配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級(jí)，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時(shí)最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn)并支持多源采購——設(shè)計(jì)人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級(jí) C3M0900170x 和獲得車規(guī)級(jí)認(rèn)證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強(qiáng)輔助電源的
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
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SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
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CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述， CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析），今天我們分析一下在軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進(jìn)行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了R DS(on) ，開關(guān)損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因?yàn)镾iC往往工
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動(dòng)汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動(dòng)車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動(dòng)汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆希科
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢(shì)。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對(duì)導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)，因?yàn)閰?shù)差異會(huì)影響均流特性。本文
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SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
關(guān)鍵字：東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET

工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)

MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái)，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
關(guān)鍵字：羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊太陽能

英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC JFET 固態(tài)配電