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利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長(zhǎng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
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電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊(cè)圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應(yīng)電壓。對(duì)于感性負(fù)載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過(guò)最大漏源電壓并且電流沖
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲(chǔ)在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國(guó)際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長(zhǎng)一方面是為了降低運(yùn)營(yíng)成本
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英飛凌攜手Enphase通過(guò)600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本

Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)的?MOSFET?內(nèi)阻（RDS(on)），進(jìn)而減
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長(zhǎng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒(méi)有內(nèi)建電勢(shì)，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對(duì)于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC MOSFET

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機(jī)型，包括非常適用于企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級(jí)數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見(jiàn)的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對(duì)柵極施加負(fù)電壓。對(duì)于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設(shè)計(jì)

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
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