MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

　　引言

　　隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。

　　MOSFET結(jié)構(gòu)以及影響驅(qū)動(dòng)的相關(guān)參數(shù)

　　圖1是MOSFET的電容等效圖。MOSFET包含3個(gè)等效結(jié)電容C_gd，C_gs和C_ds。

　　通常在MOSFET的規(guī)格書(shū)中我們可以看到以下參數(shù)：其中

        C_iss=C_gs+C_gd

　　C_oss=C_gd+C_ds

　　C_rss=C_gd

　　這些結(jié)電容影響著MOSFET開(kāi)通和關(guān)閉的速度。結(jié)電容小的MOSFET具有快速的開(kāi)關(guān)速度，可以降低MOSFET開(kāi)通和關(guān)閉時(shí)所產(chǎn)生的損耗，同時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路需求更低。

　　但是值得注意的是這些電容跟普通的電容并不完全相同，普通電容的容值并不會(huì)有太大的改變，而MOSFET等效電容容值會(huì)隨著MOSFET V_ds的變化而變化。圖2描述了MOSFET結(jié)電容隨電壓的變化狀況。