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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,以免器件發(fā)生故障,避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn),但是在更多情況下,設(shè)計(jì)人員使用完全
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IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET,為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
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IR日推出新車用MOSFET系列

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
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IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  •   Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。  
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說出你的故事:中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

  •   現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為,企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”,引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”,目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤,因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧,幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號(hào)。   不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新,作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們?cè)谏钊胝{(diào)研了
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飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn),而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中,上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  FDMS36xxS  

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。 
  • 關(guān)鍵字: IR  PQFN  MOSFET  

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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2011年中國功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年中國功率MOSFET市場(chǎng)快速增長,銷售額達(dá)到23億美元,比2009年的16億美元增長43%。   直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面,難以滿足中國各行業(yè)的需求,包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件,主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?!?/li>
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

混合動(dòng)力電動(dòng)車應(yīng)用中大功率器件的五大要素

  • 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
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2011年中國功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年中國功率MOSFET市場(chǎng)快速增長,銷售額達(dá)到23億美元,比2009年的16億美元增長43%。   直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面,難以滿足中國各行業(yè)的需求,包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件,主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。   去年功率MOSFET在中國市場(chǎng)強(qiáng)勁增長,可能主要?dú)w功于中國政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì),中國政府推出了一系
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  無線通信  

飛兆半導(dǎo)體推出60V PowerTrench MOSFET器件

  •   DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員,需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。   
  • 關(guān)鍵字: Fairchild  MOSFET  
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