- 什么是同步整流器?開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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整流器 mosfet 二極管
- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破,當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時起,幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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mosfet 氮化鎵 pfc
- 平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和:
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1:傳統(tǒng)平面式MOSF
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MOSFET 超級結
- 今天,做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案,特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設計,就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn):你需要有大牌的球(yuan)星(jian),還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術,去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少,但也有套路可尋,今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”,是怎么玩兒的。 那些明星元件 先來細數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”,它們大多來自Bourns公司,每顆料都很有“料”。比如: TBU高速
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智能電網(wǎng) MOSFET
- SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
- 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來越嚴格,對于電源設計工程師,如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET
- 實際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管
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三極管 MOSFET
- “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
- 在本設計小貼士中,我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分立驅動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下,您可以利用電源變壓器直接驅動同步整流器,但是由于寬泛的輸入電壓變量,變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設計小貼士
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外,該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流,從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
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德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設計小貼士
- 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時,任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題??刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后,MOSFE
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安全工作區(qū) MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
- 在本《電源設計小貼士》中,我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中,我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性,計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度。
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熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡
- 意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度,已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?! TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管,可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計,同時將頂部的源極曝露在
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意法半導體 MOSFET
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