- 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
- 關鍵字：
三極管 MOSFET
- “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
- 關鍵字：
功率MOSFET MOSFET
- 在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分立驅動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
- 關鍵字：
分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設計小貼士
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
- 關鍵字：
德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設計小貼士
- 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
- 關鍵字：
安全工作區(qū) MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
- 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度。
- 關鍵字：
熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡
- 意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?！ TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
- 關鍵字：
意法半導體 MOSFET
- 摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁…… 古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W習 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
- 關鍵字：
仿真 JFET
- 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度?！ ?00 V CoolMOS&
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調、空氣凈化器和空氣泵等各類風扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動?！ ±脰|芝最新的MOSFET技術，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
- 關鍵字：
東芝 MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關性能，同時，其優(yōu)化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
- 關鍵字：
東芝 MOSFET
- 意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性?！ ?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
- 關鍵字：
意法半導體 MOSFET
- 高性能轉換器設計中的同步整流對于低電壓、高電流應用（比如服務器和電信電源）至關重要，這是因為過將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關鍵參數(shù)甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導通損耗 二極管整流器的導通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
- 關鍵字：
功率 MOSFET
jfet-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條jfet-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
