600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)

　　017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨蟆Ｋ腖LC和ZVS PSFB等軟開關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動(dòng)汽車充電站等高功率SMPS應(yīng)用。

　　該600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開關(guān)技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，還兼具高換相穩(wěn)固性，同時(shí)不影響在設(shè)計(jì)過程中的輕松部署。該600 V CoolMOS CFD7擁有更低的柵極電荷(Qg)和更好的關(guān)斷性能。此外，其反向恢復(fù)電荷(Qrr)比市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品低69%之多。該600 V CoolMOS CFD7可為THD和SMD器件提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的解決方案，從而能夠支持高功率密度解決方案。