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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)

　　結(jié)構(gòu)與符號(hào)：　　? ?　　在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！　?dǎo)電原理：　　? ?　　(1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！　?2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。　　當(dāng)VGS
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MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問題分析

　　問題1：最近，我們公司的技術(shù)專家在調(diào)試中發(fā)現(xiàn)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓過高，會(huì)導(dǎo)致電路過載時(shí)，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅(qū)動(dòng)電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么?　　問題分析：　　系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定的效果。然后，降低驅(qū)動(dòng)電壓，正常工作時(shí)候，RDSON會(huì)增大，系統(tǒng)效率會(huì)降低，MOSFET的溫度會(huì)升高，
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。　　在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
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功率器件心得——功率MOSFET心得

　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)?！　」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因

　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
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基于TPS2491的熱插拔保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：文章對(duì)主流熱插拔控制策略進(jìn)行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計(jì)實(shí)例，詳細(xì)介紹了基于TPS2491進(jìn)行熱插拔保護(hù)電路的設(shè)計(jì)過程，并對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證，
關(guān)鍵字： TPS2491 熱插拔保護(hù)電路 MOSFET

半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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東芝推出適用于移動(dòng)設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么？

大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

　　近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

微芯有刷直流電機(jī)控制方案

有刷直流電機(jī)通過電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器