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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

爾必達(dá)破產(chǎn)牽動(dòng)全球內(nèi)存版圖 內(nèi)存條報(bào)價(jià)上漲

  • 　　2月27日向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)的日本爾必達(dá)(Elpida Memory，6665.TO)昨日在東京股市交易中大跌97%。這家全球第三大動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體內(nèi)存(DRAM)企業(yè)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)時(shí)，負(fù)債4480億日元(約合55億美元)，創(chuàng)日本制造企業(yè)破產(chǎn)規(guī)模之最。 　　這一破產(chǎn)消息在全球內(nèi)存行業(yè)旋即激起“駭浪”。據(jù)臺(tái)灣集邦全球電子交易市集(DRAMexchange)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格2月28日大幅走高，主流DDR3(雙數(shù)據(jù)速率3)價(jià)格最高上漲13%。 　　爾必達(dá)主要生產(chǎn)DRAM，
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三星發(fā)布新一代智能手機(jī)內(nèi)存 速度提升1倍

  • 　　三星電子日前針對(duì)智能手機(jī)發(fā)布了新開發(fā)的低能耗DDR3 RAM，運(yùn)行速度為當(dāng)前產(chǎn)品的2倍。三星是在今天的“國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)”(International Solid-State Circuits Conference)上展示了自己4Gb LPDDR3模塊的。 　　據(jù)悉，該產(chǎn)品使用的是32納米技術(shù)，相對(duì)前任產(chǎn)品節(jié)能20%，頻率可以達(dá)到1600Mbps，另外產(chǎn)品還可以堆疊成8Gb或16Gb，單條標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)32GB的容量。無論是能耗還是性能方面，4Gb LPDDR3都優(yōu)于目前
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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

  • 　　固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。 　　基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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美光發(fā)布全新DDR3Lm內(nèi)存 主打低功耗

  • 　　美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內(nèi)存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動(dòng)市場(chǎng)。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規(guī)格，宣稱可為移動(dòng)產(chǎn)品帶來更長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間的同時(shí)，依然擁有不俗的性能和較高的性價(jià)比。 　　首先是2Gb DDR3Lm，相比標(biāo)準(zhǔn)2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機(jī)狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達(dá)1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進(jìn)一步優(yōu)
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美光新總裁稱內(nèi)存價(jià)格或已見底

  • 　　雖然內(nèi)存價(jià)格暴跌已經(jīng)導(dǎo)致該行業(yè)四大企業(yè)中的三家出現(xiàn)虧損，但美光科技總裁馬克·亞當(dāng)斯(Mark Adams)周五表示，電腦內(nèi)存價(jià)格很可能已經(jīng)見底。作為全美唯一一家DRAM存儲(chǔ)芯片廠商，美光科技去年12月發(fā)布的業(yè)績(jī)顯示，由于PC需求放緩導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格下跌，該公司已經(jīng)連續(xù)第二季度虧損?！拔也徽J(rèn)為DRAM市場(chǎng)還會(huì)繼續(xù)下行，現(xiàn)在感覺已經(jīng)穩(wěn)定?！眮啴?dāng)斯說。 　　各大存儲(chǔ)芯片廠商都在努力平衡電腦內(nèi)存的供需關(guān)系，在這一行業(yè)中，建設(shè)工廠需要花費(fèi)數(shù)年時(shí)間，因此很難輕易關(guān)閉。但該行業(yè)卻
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嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的研究與設(shè)計(jì)

  • 嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的研究與設(shè)計(jì),摘要：近年來,各種嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫不斷涌現(xiàn),但由于各種原因,很多產(chǎn)品不具有通用性、高效性、可靠性,以致于很難在市場(chǎng)上推廣開來。針對(duì)上述情況,提出一種新的嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的設(shè)計(jì)方法,該方法結(jié)合當(dāng)前流行的java語
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WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法

  • WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法,本文介紹了WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法。WinCE的文件目錄結(jié)構(gòu)以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會(huì)在WinCE編譯時(shí)合并成initobj.dat文件，WinCE會(huì)根據(jù)DAT中的描述生成相應(yīng)目錄?！　∵@個(gè)
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2011年度存儲(chǔ)市場(chǎng)總結(jié)

  • 2011年，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了幾大重要事件：日本地震引起閃存漲價(jià)、泰國(guó)洪水引起整個(gè)DIY產(chǎn)業(yè)的震動(dòng)、單碟1TB硬盤技術(shù)正式面世、USB3.0產(chǎn)品強(qiáng)勢(shì)出擊、藍(lán)光3D技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)品上市等，都給2011年的存儲(chǔ)行業(yè)帶來了不小的變化。
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌：PC市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致供大于求

  • 　　面臨洗牌 　　自20世紀(jì)60年代以來，內(nèi)存芯片便被看作是信息時(shí)代的“原油”——它們對(duì)電腦和其他設(shè)備非常重要，以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能，降低生產(chǎn)成本。然而，上周有消息稱，日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達(dá)正尋求從其客戶獲得資金支持，這表明在內(nèi)存芯片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)中，越來越多的企業(yè)瀕臨出局。 　　三星電子和海力士等韓國(guó)兩家大公司目前占據(jù)著內(nèi)存芯片行業(yè)的主導(dǎo)地位，美國(guó)芯片廠商美光科技與爾必達(dá)的市場(chǎng)份額并列第三，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于三星電子和海力士。內(nèi)存芯片廣泛用于從手
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NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

  • 　　專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 　　NVE公司指出，在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
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采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

  • 點(diǎn)陣式液晶接口簡(jiǎn)單，能以點(diǎn)陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時(shí)序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅(qū)動(dòng)器，可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而
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相變化內(nèi)存開創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

  • CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
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20nm最強(qiáng)制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

  • 　　來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。 　　新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲(chǔ)芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。 　　相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 　　預(yù)
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AMD將在北美推自有品牌內(nèi)存主打臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)

  • 　　北京時(shí)間11月29日凌晨消息，AMD于本周一表示，該公司將在北美銷售自有品牌內(nèi)存，主打臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)，首批內(nèi)存將會(huì)由電子產(chǎn)品生產(chǎn)商Patriot Memory代工生產(chǎn)，并由板卡生產(chǎn)商美國(guó)視覺科技(Visiontek)代理銷售。目前該產(chǎn)品已經(jīng)在AMD平臺(tái)上進(jìn)行過測(cè)試，并且已經(jīng)能夠顯示出強(qiáng)勁的加速功能。 　　AMD GPU團(tuán)隊(duì)的總經(jīng)理兼公司副總裁馬特·思凱納(Matt Skynner)表示，“AMD提供的內(nèi)存主要是為了滿足消費(fèi)者的單一直接體驗(yàn)需求，這種產(chǎn)品是基于公司多年來在AMD
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