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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

DSP芯片TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導功能的實現(xiàn)

  • DSP芯片TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導功能的實現(xiàn),TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導方式有很大差別。在開發(fā)應用TMS320C6000系列DSP時，許多開發(fā)者，尤其是初涉及者對DSP ROM引導的實現(xiàn)有些困難，花費許多時間和精力摸索。筆者結(jié)合開發(fā)實例，介紹了實現(xiàn)外部存儲器
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升

  • 　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 　　美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 　　爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠

  • 　　日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 　　日本兩大半導體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 　　東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達及
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九月份內(nèi)存芯片協(xié)議價與零售價將持續(xù)走低

  • 　　據(jù)臺系內(nèi)存業(yè)者透露，由于PC產(chǎn)品市場需求較為弱勢，因此今年9月份內(nèi)存產(chǎn)品的協(xié)議價將繼續(xù)走低，消息來源并希望年底企業(yè)用戶更換新電腦產(chǎn)生的市場需求能 夠幫助內(nèi)存產(chǎn)品穩(wěn)定價格。值得注意的是，在臺系內(nèi)存廠商發(fā)出這種悲觀的論斷之前，三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續(xù)走低將導致明年第 一季度內(nèi)存市場出現(xiàn)供過于求的局面。 　　據(jù)消息來源分析，在內(nèi)存價格下跌的大潮中，PC廠商很有可能會考慮增加自己部分產(chǎn)品的內(nèi)存容量到4GB水平，不過內(nèi)存方面的升級將僅限于部分高端型號。另外，歐洲和美國市場對PC機型
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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

  • 　　據(jù)國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

  • 　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MHz，而在PC應用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。 　　該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務器應用中能比50nm級工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內(nèi)存條
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設計

  • 1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機...
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Gartner預測DRAM內(nèi)存降價趨勢將持續(xù)到年底

  • 　　據(jù)國外媒體報道，由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅持反對價格進一步上漲的強硬立場，DRAM內(nèi)存價格在今年6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降。 　　內(nèi)存芯片價格下降對于每個購買新PC的用戶來說都很重要，因為昂貴的DRAM內(nèi)存芯片價格是PC價格在幾年來首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是，內(nèi)存芯片價格的下降是這個市場出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個信號。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導致芯片廠商提高產(chǎn)量，從而緩解了短缺情況。 　　現(xiàn)在，Gartner預測內(nèi)存芯片的平均銷售價格在2010年剩余的時間里將溫和下降，并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

  • 　　臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬片。 　　茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產(chǎn)，并計劃在明年年底
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"壟斷案"塵埃落定：鎂光從寬發(fā)落 爾必達南亞認罰

  • 　　日本爾必達公司和臺灣南亞內(nèi)存公司最近發(fā)表聲明稱公司愿意接受歐委會有關(guān)涉嫌惡意操縱內(nèi)存芯片價格的處罰決定，不過同遭此指控的其它幾家內(nèi)存廠商則尚未就 此事發(fā)表類似的聲明。 　　本月18日，歐委會宣布完成了內(nèi)存芯片價格壟斷案的審理，據(jù)歐委會表示，此案涉及10家生產(chǎn)個人電腦/服務器產(chǎn)品用內(nèi)存芯片品牌，開出的反壟斷罰金總額高達4.09億美元。除了爾必達和南亞之外，此案還涉及三星，Hynix以及鎂光等。不過由于鎂光在歐盟開始調(diào)查此案時主動采取坦白從寬的態(tài)度，承認自己涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格，因此歐委會決定網(wǎng)開一面赦
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Hynix證實遭歐盟罰款 或另有8家企業(yè)受罰

  • 　　全球第二大內(nèi)存廠商Hynix周二證實，已經(jīng)接到歐盟通知，將因為非法操縱內(nèi)存價格而遭到罰款。 　　Hynix表示，歐盟計劃于周三宣布具體的罰款金額。此外，Hynix并未透露其他詳情，包括將被罰款的其他芯片廠商等。關(guān)于全球多家頂級內(nèi)存廠商合謀操 控產(chǎn)品價格，歐盟已經(jīng)調(diào)查了多年。美國司法部門也對此展開了調(diào)查，并對三星、Hynix和英飛凌進行了罰款。 　　本周早些時候曾有報道稱，此次將有9家企業(yè)遭到歐盟罰款，除了上述3家，其他6家公司分別是Elpida、NEC電子、日立、東芝、三菱電子和南亞科技。 　　
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爾必達宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒

  • 　　據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆粒基于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。 　　爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
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下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲　

  • 　　期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來! 　　全球相變化內(nèi)存分為3大陣營，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三
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內(nèi)存價格上漲致臺灣芯片廠商虧損縮窄

  • 　　據(jù)國外媒體報道，臺灣內(nèi)存制造商南亞科技和華亞科技周二都發(fā)布了財報。由于內(nèi)存價格反彈，兩家公司第一季度凈虧損同比都縮窄，但業(yè)績低于預期，反映出在升級技術(shù)削減生產(chǎn)成本上遇到困難。 　　由于過去2年資本投資的疲軟，導致全球內(nèi)存供應短缺，亞洲D(zhuǎn)RAM芯片制造商從價格反彈中受益。Windows 7的發(fā)布也促使消費者和企業(yè)更新?lián)Q代，購買了要求更大內(nèi)存的新電腦。南亞科技副總裁白佩林表示，4月公司將在3月的基礎上再調(diào)高價格，隨著設備使用率提高，第二季度出貨量將比第一季度增加10%。 　　南亞科技第一季度凈虧損從1
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WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整

  • WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整,　　本文介紹了WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法。WinCE的文件目錄結(jié)構(gòu)以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會在WinCE編譯時合并成initobj.dat文件，WinCE會根據(jù)DAT中的描述生成相應目錄。　　
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  調(diào)整  定制  目錄  文件  WinCE  
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