gan+sic 文章最新資訊

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)?！　　　〗陙恚許iC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
關(guān)鍵字：北汽新能源羅姆半導(dǎo)體 SiC

QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強(qiáng)其5G領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本?！　?jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運(yùn)營(yíng)商能夠滿足 5G 對(duì)速度、延遲、可靠性和容量的
關(guān)鍵字： QORVO GAN

羅姆為汽車、工業(yè)領(lǐng)域提供更多SiC解決方案

羅姆（ROHM）作為一個(gè)日本企業(yè)，很早便打入歐洲市場(chǎng)，豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、值得信賴的產(chǎn)品品質(zhì)和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
關(guān)鍵字： ROHM SiC 羅姆

德州儀器用2000萬小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里?！　∥覀儙讉€(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對(duì)此感到滿意。在這個(gè)探討過程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備。　　在那個(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)?，以尋求獲得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級(jí)研究員幫助總
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開為期36個(gè)月的開發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。　　硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。　　“工程師現(xiàn)在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
關(guān)鍵字： GaN，機(jī)器人

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))　　近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
關(guān)鍵字： ROHM SiC

當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購(gòu)。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化?　　哪些因素在推動(dòng)變革?　　半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅(qū)動(dòng)：對(duì)無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個(gè)位置，無論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿足蜂窩手
關(guān)鍵字：射頻半導(dǎo)體 GaN

“2018 ROHM科技展”：走進(jìn)智能“芯”生活！

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí)，將以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí)，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來六場(chǎng)技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場(chǎng)，與羅姆的技術(shù)專家進(jìn)行面對(duì)面的交流和切磋
關(guān)鍵字： ROHM SiC

基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行?！　”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍，給現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！　×⒆銍?guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管第三代半導(dǎo)體中歐論壇

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

　　德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級(jí)產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)?！　〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫

SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn)，正推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的。　　在現(xiàn)實(shí)世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！　”热缫幻O(shè)計(jì)工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器，或者正在設(shè)
關(guān)鍵字： SiC GaN

CISSOID和泰科天潤(rùn)（GPT）達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

　　高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項(xiàng)目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤(rùn)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤(rùn)是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時(shí)，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
關(guān)鍵字： CISSOID SiC

納微將在國(guó)際電力電子大會(huì)上發(fā)布GaNFast成果

納微(Navitas)半導(dǎo)體公司宣布成為2018年11月4日至7日在中國(guó)深圳舉辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)及應(yīng)用會(huì)議(IEEEPEAC'2018)的鉆石贊助商。在此次大會(huì)上，納微將發(fā)布并展示GaNFast功率IC的重大發(fā)展成果，這些進(jìn)展推動(dòng)業(yè)界實(shí)現(xiàn)的新一代電源系統(tǒng)，將會(huì)打造能效、功率密度和快速充電的全新基準(zhǔn)。這些技術(shù)發(fā)展成果從27W到300W，包括用于智能手機(jī)、筆記本電腦、一體式電腦、電視/顯示器以及GPU的充電器和適配器應(yīng)用。納微將展示客戶
關(guān)鍵字： GaN 電源 IC

基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。　　SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲(chǔ)存，其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。更重
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 SiC