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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗(yàn)證的 DFN 封裝,堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù),便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行,
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CGD與中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現(xiàn)對(duì)潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì),在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成,屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì),在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
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氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車、無人機(jī)和機(jī)器人
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大,而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì),在每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè)FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?!? ?EPC91
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GaN引領(lǐng)未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
- Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì),進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時(shí)發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動(dòng)它,這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字: 自主駕駛 LiDAR GaN FET
SR-ZVS與GaN:讓電源開關(guān)損耗為零的魔法
- 當(dāng)今,快充市場(chǎng)正迎來前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù),快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展,用戶對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大;移動(dòng)設(shè)備的普及,用戶對(duì)于充電器體積的要求也越來越高;同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競爭中脫穎而出,低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格,不僅需要高效率、高功率,還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC,在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
- 關(guān)鍵字: PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管,實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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