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低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢

  • 消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。在設(shè)計現(xiàn)代消費(fèi)級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓?fù)渲薪鉀Q這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓?fù)?/li>
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瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

  • 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
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GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

  • 近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據(jù)悉，金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
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使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

  • 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應(yīng)用來說，完全不依賴純電池設(shè)計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應(yīng)用。相反，設(shè)備通常必須直接通過 AC 線路運(yùn)行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運(yùn)行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護(hù)措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標(biāo)準(zhǔn)是為了確保用電設(shè)備即使在電源或負(fù)載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設(shè)計者必須不斷提地
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基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計 TIDA-00961 FAQ

  • 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費(fèi)電子應(yīng)用場景

  • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費(fèi)電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強(qiáng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的功能和性能?增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費(fèi)電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻(xiàn) ，包括實(shí)現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費(fèi)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動人工智能
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCP
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強(qiáng)度，更高的擊穿
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

  • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷，這對于要求嚴(yán)格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要，同時在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案

  • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù)，有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

  • 當(dāng)?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關(guān)耐壓上限

  • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費(fèi)級和工業(yè)級開關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個的市場應(yīng)用中
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動器,用于電動自行車、機(jī)器人和無人機(jī)

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計顯著提高了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器參考設(shè)計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應(yīng)用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
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