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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬(wàn)美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費(fèi)者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會(huì)率先用到氮化鎵呢？
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過(guò)升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級(jí)聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國(guó)領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級(jí)共同運(yùn)營(yíng)的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國(guó)新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國(guó)在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國(guó)城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然，在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
關(guān)鍵字：集成電路微電子氮化鎵器件寬禁帶 IC GaN 202103

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
關(guān)鍵字： GaN FET SiC

在輕度混合動(dòng)力汽車中利用GaN實(shí)現(xiàn)雙電池管理

John Grabowski：安森美半導(dǎo)體電源方案部門的首席應(yīng)用和市場(chǎng)工程師，部門位于美國(guó)密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導(dǎo)體，此前他曾在福特汽車公司研究實(shí)驗(yàn)室工作30年。他一直從事電路和軟件設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電氣、混合動(dòng)力汽車和汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)。最近，他的團(tuán)隊(duì)積極推動(dòng)將高功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車電子化。引言為應(yīng)對(duì)氣候變化，汽車減排降油耗勢(shì)在必行。如今，許多國(guó)家/地區(qū)的法律強(qiáng)制要求汽車制造商做出這些改變。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，其中一種方式就是采用混合動(dòng)力，即在汽油或柴油車輛的傳動(dòng)鏈中
關(guān)鍵字： GaN 48V

第三代芯片徹底火了！45家公司實(shí)證涉足三代半導(dǎo)體

延續(xù)9月4日以來(lái)的火熱行情，9月17日，A股第三代半導(dǎo)體概念股持續(xù)強(qiáng)勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個(gè)股漲超7%。證券時(shí)報(bào)·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過(guò)深交所互動(dòng)易或公告形式披露公司確有第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導(dǎo)體方面有實(shí)際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導(dǎo)體概念持續(xù)火熱近段時(shí)間以來(lái)，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
關(guān)鍵字：第三代芯片三代半導(dǎo)體 GaN

采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級(jí)及隔離反激拓?fù)浜蠹?jí)的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員 —— 適合智能照明應(yīng)用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時(shí)發(fā)布的新設(shè)計(jì)范例報(bào)告 (?DER-920?) 中，展現(xiàn)了
關(guān)鍵字： GaN IC PWM

面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對(duì)半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計(jì)師在這些競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場(chǎng)的各類應(yīng)用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
關(guān)鍵字： OBC GaN 202009

電源設(shè)計(jì)，進(jìn)無(wú)止境

5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢(shì)電源管理的前沿趨勢(shì)我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書(shū)，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開(kāi)發(fā)熱情

全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書(shū)，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書(shū)匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書(shū)中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
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