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EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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TDK-EPC掌控所有熱點(diǎn)的SMD-PTC解決方案

  • 相對于標(biāo)準(zhǔn)系列，新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料，在提高穩(wěn)定性的同時，還允許高達(dá)280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能，超級系列PTC產(chǎn)品已通過AEC-Q200 Rev-C標(biāo)準(zhǔn)驗證，可滿足汽車電子應(yīng)用的苛刻要求。

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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
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基于RFID的EPC中間件的設(shè)計

  • 摘要：本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術(shù)并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后，借鑒EPCgloabl的中間件標(biāo)準(zhǔn)ALE，給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設(shè)計思路，并從邏輯上驗證了該系統(tǒng)的完
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TDK-EPC：服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案

  • TDK-EPC：服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國愛普科斯合并，TDK在消費(fèi)電...
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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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MOS—FET甲乙類功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個開關(guān)...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關(guān)鍵字： 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

LTE EPC：預(yù)集成框架的推動因素和優(yōu)點(diǎn)

  • 目錄市場趨勢OEM面臨的挑戰(zhàn)與要求流量模型RADISYS的LTE就緒平臺OEM...
  • 關(guān)鍵字： LTE  EPC  
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