epc gan fet 文章最新資訊

使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

　　友達(dá)光電1月20日宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

　　臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。　　FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì)，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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Mouser對(duì) EPCOS的授權(quán)分銷拓展至全球

　　Mouser 今日宣布，Mouser 的EPCOS授權(quán)分銷區(qū)域拓展至亞洲和歐洲。從2009年10月開始，EPCOS與TDK公司聯(lián)合成立了新的TDK-EPC公司(簡(jiǎn)稱TDK-EPC)，銷售旗下TDK和EPCOS品牌產(chǎn)品。是TDK-EPC公司是電子元件、模塊和系統(tǒng)領(lǐng)域的全球性的公司　　TDK-EPC產(chǎn)品組合包括陶瓷、鋁電解和薄膜電容器、鐵氧體和電感器、聲表面波(SAW)濾波器和模塊等高頻元件、壓電和保護(hù)元件以及傳感器等。正是有了這些產(chǎn)品系列，TDK-EPC能夠進(jìn)軍日益增長(zhǎng)的信息和通信技術(shù)以及汽車、工業(yè)
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砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。　　一直
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T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
關(guān)鍵字： TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315

瑞典高級(jí)時(shí)裝采用EPC/RFID

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：時(shí)裝 RFID EPC 瑞典

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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RFID在快速消費(fèi)品供應(yīng)鏈管理中的應(yīng)用

0 引言
　　
　　20世紀(jì)的自動(dòng)識(shí)別業(yè)可以說(shuō)是條碼技術(shù)的天下，自20世紀(jì)70年代在全球進(jìn)行推廣應(yīng)用的商品條碼系統(tǒng)（即EAN-UPC系統(tǒng)）誕生以來(lái)，條碼技術(shù)以一種飛速發(fā)展的態(tài)勢(shì)占領(lǐng)了從商業(yè)到工業(yè)、從倉(cāng)儲(chǔ)到流通的幾乎
關(guān)鍵字：管理應(yīng)用供應(yīng)鏈消費(fèi)品快速 RFID RFID 快速消費(fèi)品零售 RFID設(shè)備供應(yīng)鏈制造商 EPC

ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

　　2009年1月22日，中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
關(guān)鍵字： ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817

條碼、RFID及EPC之間的關(guān)系辨析

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關(guān)鍵字：條碼標(biāo)識(shí) RFID標(biāo)識(shí) EPC 非接觸

寬帶無(wú)線移動(dòng)技術(shù)滿足IP化市場(chǎng)需求

　　無(wú)線技術(shù)將向著更快更好的方向發(fā)展，不僅能提供更高的速率、提升小區(qū)邊緣的吞吐量，而且能夠減少時(shí)延，從而改善面向IP化的業(yè)務(wù)質(zhì)量。　　無(wú)線技術(shù)承載高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù) 　　寬帶無(wú)線移動(dòng)的發(fā)展對(duì)技術(shù)提出了更高的要求，這不僅體現(xiàn)在LTE/LTE-Advanced、802.16m等承載高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的無(wú)線技術(shù)上，還體現(xiàn)在支持廣泛接入的無(wú)線核心網(wǎng)絡(luò)上。從核心網(wǎng)絡(luò)來(lái)看，它不僅支撐原有蜂窩的傳統(tǒng)系統(tǒng)，面向未來(lái)的發(fā)展還將支持更加廣泛的有線接入技術(shù)和其他原有的固定無(wú)線接入技術(shù)。從其發(fā)展?fàn)顩r來(lái)看，一方面在業(yè)務(wù)控制層面有
關(guān)鍵字：無(wú)線技術(shù) 寬帶 LTE EPC

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

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關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x