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epc gan fet 文章 最新資訊

保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字： RTP器件  FET  

通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

  • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

EPC高頻變壓器分布參數(shù)及其影響的分析

  • 1、引言　　行波管放大器（TWTA）具有寬頻帶、高增益、高效率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于微波通信、雷達(dá)和電子對(duì)抗等技術(shù)領(lǐng)域中?！　WTA由空間行波管（TWT）和電子功率調(diào)節(jié)器（EPC）組成。EPC[1,2]是由大量電子元器件和高
  • 關(guān)鍵字： 及其  影響  分析  參數(shù)  分布  高頻  變壓器  EPC  

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

  • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計(jì)

  • 簡介 　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲骸⑸龎?、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

TDK-EPC掌控所有熱點(diǎn)的SMD-PTC解決方案

  • 相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)系列，新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料，在提高穩(wěn)定性的同時(shí)，還允許高達(dá)280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能，超級(jí)系列PTC產(chǎn)品已通過AEC-Q200 Rev-C標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證，可滿足汽車電子應(yīng)用的苛刻要求。

  • 關(guān)鍵字： TDK-EPC  SMD-PTC  方案    

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN  

基于RFID的EPC中間件的設(shè)計(jì)

  • 摘要：本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術(shù)并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后，借鑒EPCgloabl的中間件標(biāo)準(zhǔn)ALE，給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路，并從邏輯上驗(yàn)證了該系統(tǒng)的完
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  中間件  EPC  RFID  基于  

TDK-EPC：服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案

  • TDK-EPC：服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國愛普科斯合并，TDK在消費(fèi)電...
  • 關(guān)鍵字： TDK  EPC  
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