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epc gan fet 文章 最新資訊

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

  • 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
  • 關鍵字： Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  

聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關鍵字： 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  

貿澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品

  • 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權分銷商，貿澤電子  ( Mouser Electronics )  很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
  • 關鍵字： MMIC  GaN  

學習采用氮化鎵（GaN）技術設計最先進的人工智能、機械人、無人機、 全自動駕駛汽車及高音質音頻系統(tǒng)

  • EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應晶體管及集成電路的各種先進應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的激光雷達系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智能服務器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉換器?、
  • 關鍵字： GaN  音頻放大器  

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列

  • 日前，宜普電源轉換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》第三版教科書的增訂內容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉換及無線電源等應用。宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》?第三版教科書的內容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
  • 關鍵字： GaN  播客  

TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開售，支持高密度電源轉換設計

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
  • 關鍵字： GaN  UVLO  

宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower(TM) 功率級集成電路系列， 重新定義功率轉換

  • 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。 EPC2152是一個單晶驅動器并配以基于氮化鎵場效應晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專有的氮化鎵集成電路技術的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應晶體管，從而實現(xiàn)芯片級LGA封裝、細小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
  • 關鍵字： EPC  ePower  功率級集成電路  

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計

  • 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
  • 關鍵字： LDN  GaN  

馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術領導者TRANSPHORM Inc.

  • 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務
  • 關鍵字： OBC  GaN  

Qorvo推出業(yè)內最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務
  • 關鍵字： GaN  功率放大器  

Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

  •  奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
  • 關鍵字： Nexperia  GaN  EV逆變器  

納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

  • 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
  • 關鍵字： 小米  GaN  納微半導體  

宜普電源轉換公司（EPC）推出基于車規(guī)級氮化鎵（eGaN ）技術的飛行時間（ToF）演示板

  • EPC9144演示板內的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達系統(tǒng)更準確、更精確及更快速。近日，宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大電流脈沖激光二極管驅動電路板（EPC9144）。在飛行時間（ToF）系統(tǒng)，對偵測物件的速度及準確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過AECQ101認證的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應晶體管具備快速轉
  • 關鍵字： EPC  ToF  

宜普電源轉換公司（EPC）于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術的應用

  • 宜普電源轉換公司（EPC）將在2020年1月7日至10日，于美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展（CES 2020）為工程師展示eGaN技術的龐大潛力，它可以推動多種消費電子應用的發(fā)展，從而改變市場的游戲規(guī)則，包括全自動駕駛汽車、機器人、無人機、無線電源、世界第一流的音頻系統(tǒng)及車載解決方案。于CES 2020 展覽，歡迎蒞臨Venetian酒店內的EPC演示套房，與氮化鎵專家一起參觀、學習及討論氮化鎵技術如何推動改變世界的創(chuàng)新設計的發(fā)展。無線電源在家居的應用：EPC將展示在家居使用的無線充電桌面同時對多個消
  • 關鍵字： eGaN  EPC  

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  
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