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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> e-mode gan fet

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權(quán)的5.8G
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研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
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如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

  • 　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
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中國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問(wèn)世

  • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 　　 　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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藍(lán)色激光的應(yīng)用

集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器

  • 　　當(dāng)輸入至輸出的開(kāi)銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 　　bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對(duì)過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
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一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

  • 　  Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。 　　ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
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飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。 　　在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
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移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FET  DAC  ADI  

功率P-FET控制器LTC4414

  • LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開(kāi)關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡(jiǎn)單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù)；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
  • 關(guān)鍵字： LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

Catalyst推出Quad-Mode(tm)電荷泵元件

  • Catalyst半導(dǎo)體隆重推出專利申請(qǐng)中的Quad-Mode(tm)電荷泵新產(chǎn)品家族的首款元件 將LED驅(qū)動(dòng)器效能提升至全新境界 CAT3636 Quad-Mode(tm) LED驅(qū)動(dòng)器能在不增加成本、元件數(shù)和電路板空間的情況下，用簡(jiǎn)便的電荷泵方式提供業(yè)界領(lǐng)先的效率 Catalyst半導(dǎo)體公司隆重推出采用自適應(yīng)分?jǐn)?shù)電荷泵方案的新一代LED驅(qū)動(dòng)器的首款芯片CAT3636。這款芯片的發(fā)布，將LED驅(qū)動(dòng)器的效率提升至全新境界。CAT3636是以Catalyst的創(chuàng)新Quad-Mode(tm)
  • 關(guān)鍵字： Catalyst  LED驅(qū)動(dòng)  Quad-Mode(tm)  電荷泵  模擬  元件  發(fā)光二極管  LED  

FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

  • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí)，現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能，使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
  • 關(guān)鍵字： FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    
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e-mode gan fet介紹

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