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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關鍵字： 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
  • 關鍵字： FET  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關鍵字： CISSOID  P-FET  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
  • 關鍵字： 設計  功率放大器  GaN  一種  

如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關鍵字： 進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何  

Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du

  • A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
  • 關鍵字： switch-mode  monitoring  Diagnose  cycle    

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
  • 關鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

MOS-FET開關電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
  • 關鍵字： MOS-FET  開關電路    

J-FET開關電路工作原理

  • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
  • 關鍵字： J-FET  開關電路  工作原理    

與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
  • 關鍵字： VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表  

使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

  • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
  • 關鍵字： FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路    
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