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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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Vishay推出4款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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友達(dá)光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

  • 　　友達(dá)光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場 友達(dá)將收購FET的部分資產(chǎn)

  • 　　臺灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 　　一直
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T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實現(xiàn)整個負(fù)載范圍內(nèi)的高
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計與實現(xiàn)

  • 嵌入式Linux 的safe mode 設(shè)計與實現(xiàn),目前的各種嵌入式產(chǎn)品已經(jīng)豐富多彩，它們正改變著我們的生活方式。隨著嵌入式產(chǎn)品功能的增加，如何讓用戶對已購買的產(chǎn)品的升級能安全地、順利地完成，避免升級過程中出現(xiàn)的意外掉電所引起的產(chǎn)品故障，這樣的問題要求
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ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

  • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
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德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FET  TI  IC－bq2407x  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

  • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
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e-mode gan fet介紹

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