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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率型

解讀功率型LED封裝材料的研究現(xiàn)狀及發(fā)展方向

  • （一）LED用封裝材料的性能要求LED用封裝材料一方面要滿足封裝工藝的要求，另外一方面要滿足LED的工作要求。...
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電流對(duì)功率型白光LED光學(xué)參數(shù)的影響分析

  • 進(jìn)入21世紀(jì)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，長(zhǎng)期用于指示和顯示的半導(dǎo)體光源正向照明領(lǐng)域發(fā)展。以功率型...
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功率型白光LED器件光色測(cè)量方法淺述

  • 隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，LED以其飽滿光色、節(jié)能、光效高、電壓低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，已成為全球最熱門、最矚目的光源，特別是近年來(lái)LED的發(fā)光效率和亮度正在大幅度提高，LED必將成為應(yīng)用最廣泛的照明光源。如今，L
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Si襯底設(shè)計(jì)的功率型GaN基LED制造技術(shù)

功率型LED封裝技術(shù)面對(duì)挑戰(zhàn)

  • 一、引言半導(dǎo)體發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱LED，從上世紀(jì)六十年代研制出來(lái)并逐步走向市場(chǎng)化，其封裝技術(shù)也是不斷改進(jìn)和...
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國(guó)內(nèi)外功率型LED封裝技術(shù)

  • 超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的...
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功率型LED電壓溫度系數(shù)的研究

  • 引言功率型LED是向固體照明發(fā)展過(guò)程中的關(guān)鍵器件。而功率型LED的性能受結(jié)溫的影響極大。LED的溫升效應(yīng)會(huì)降...
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功率型LED在路燈上的應(yīng)用

  • 在日常生活中，人們所使用的光源大多接近全向輻射。全向輻射會(huì)使光能射向不需照射的區(qū)域，造成能量浪費(fèi)或光污染...
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功率型白光LED封裝技術(shù)、熒光粉技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)深度剖析

  • LED芯片隨工藝、數(shù)量增長(zhǎng)采用更大尺寸晶圓片制作工藝，會(huì)不斷的降低成本，近年來(lái)每年在20%速度降低，led芯片價(jià)格...
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功率型ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)格局

  • １、前言功率型ＬＥＤ芯片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)包括以下四個(gè)重要環(huán)節(jié)：（1）通過(guò)加大工作電流提高芯片的整體功率；...
  • 關(guān)鍵字： 功率型  ＬＥＤ  芯片  產(chǎn)業(yè)格局  

功率型白光LED封裝技術(shù)發(fā)展的四個(gè)趨勢(shì)

  • 1996年，Nichia公司的Nakamura等首次使用藍(lán)光LED結(jié)合黃色熒光粉轉(zhuǎn)化合成了白光LED.他所采用的黃色熒光粉...
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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功率型介紹

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