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又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

  • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  MUF技術  

三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。                                                      &n
  • 關鍵字： 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲  

美光內存與存儲是實現(xiàn)數字孿生的理想之選

  • 據 IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數字孿生的新型物理資產和流程建模的數量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產行為中的關鍵要素數字化并非一種全新概念，但數字孿生技術從精確傳感到實時計算，再到將海量數據轉為深度洞察，從多方面進一步推動了設備和運營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實現(xiàn)擴大規(guī)模并縮短產品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產品缺陷，實現(xiàn)出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內存與存儲對于實現(xiàn)數字孿
  • 關鍵字： 數字孿生  DRAM  機器學習  

三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術優(yōu)勢

  • 三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發(fā)（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
  • 關鍵字： 三星  內存  DRAM  芯片  美光  

存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

  • 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  

漲勢延續(xù)，預估2024年第一季DRAM合約價季漲幅13~18%

  • TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認為持續(xù)性減產仍有其必要，以維持存儲器產業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預期DDR4價格會持續(xù)上漲，帶動買方拉貨動能延續(xù)，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達到原廠目標，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預估整體PC
  • 關鍵字： 存儲廠商  DRAM  TrendForce  

SSD九個季度以來首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價：漲幅55%只是開始

  • 1月1日消息，據供應鏈最新消息稱，SSD產品九個季度以來首次上漲，而廠商擬2024年1-3月后持續(xù)要求漲價。數據顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產品TLC 256GB批發(fā)價為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個季度以來（2021年7-9月以來）首度上漲。自2023下半年以來，存儲芯片價格一直在上漲。雖然DRAM價格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價格在過去兩個月飆升了60%-70%。調研機構TrendFo
  • 關鍵字： SSD  漲價  DRAM  

全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
  • 關鍵字： 汽車電子  半導體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  

集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  

DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術發(fā)揮關鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務，目前已經發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
  • 關鍵字： DRAM  封裝技術  HBM  

DRAM的范式轉變歷程

  • 本文總結和更新了 DRAM 的產品、發(fā)展和技術趨勢。
  • 關鍵字： DRAM  

集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據市場調查機構集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
  • 關鍵字： DRAM  閃存  

消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場份額差距已縮小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領域應用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產品領域的市場份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
  • 關鍵字： 三星  DRAM  海力士  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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