首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息,據(jù)報道,Adroit Market Research預(yù)計,全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長,到2032年將達到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示,半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長率高達11.9%。目前的市場表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下,到2028年,該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
  • 關(guān)鍵字: 汽車電子  半導(dǎo)體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長 100%。報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
  • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  

集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長 18-23%,而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲器價格漲勢明確,帶動買方積極擴大購貨需求,以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
  • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  

DRAM掀起新一輪熱潮,封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器,無論是 CPU、GPU、FPGA,還是 NPU,要想正常運行,都離不開 RAM,特別是 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器),它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)(PC,手機,數(shù)據(jù)中心等)中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同,系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求,因此,DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)、LPDDR、GDDR 等,當(dāng)然,主要就是這三類。其中,DDR 是相對于 SDR(單數(shù)據(jù)速率)而言的,將 I/O 時鐘加倍了,主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù),目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5;LPDDR 是低功耗的 DDR,
  • 關(guān)鍵字: DRAM  封裝技術(shù)  HBM  

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

  • 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元,環(huán)比增長 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息,根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)集邦咨詢公布的最新報告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元,環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動能,讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度,供給方面,原廠漲價態(tài)度明確,預(yù)估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%;需求方面的回溫程度則不如過往旺季,整體而言,DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌,三大原廠營收皆有所成長
  • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  

消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場份額差距已縮小至 4.4%

  • 11 月 28 日消息,上周就有研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動下,SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%,是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看,DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士,也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場份額差距。研究機構(gòu)的報告顯示,SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元,環(huán)比增長 34.59%;三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  海力士  

三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元,連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

  • 11 月 30 日消息,據(jù)外媒報道,從去年下半年開始,受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響,全球存儲芯片的需求也明顯下滑,三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動下,DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價格已在回升,銷售額環(huán)比也在增加。研究機構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示,在今年三季度,全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元,環(huán)比增長 19.2%,在一季度的 93.7 億美元之后,已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長,也就意味著主要廠商的銷售額,環(huán)
  • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  三星  海力士  

AI推動SK海力士DRAM市場份額達到有史以來最高水平

  • 據(jù)外媒報道,在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火,谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后,外媒就預(yù)計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加,高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加,半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商,將迎來新的發(fā)展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示,存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益,他們?nèi)径仍谌駾RAM市場的份額達到了35%,占據(jù)了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來,在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
  • 關(guān)鍵字: AI  SK海力士  DRAM  

存儲市場前瞻:DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

  • IT之家?11 月 24 日消息,由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估,2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%,上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM:根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道,2024 年手機的一個明顯變化是
  • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  NAND  

美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存,具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能,可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用,例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景,滿足它們對
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  128GB  RDIMM內(nèi)存  

芯片設(shè)計中,DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜

  • 選擇越多,選擇越難。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

  • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈,DRAM價格也在9月開始回升,內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn),帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報,內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看,第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商,則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  ?NAND Flash  DRAM  

2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

  • 在本次展會上,東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售,是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總,這次在2023年慕尼黑華南電子展上,陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
  • 關(guān)鍵字: 東芯半導(dǎo)體  NAND  NOR  DRAM  存儲  

預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因,供應(yīng)方面:三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
  • 關(guān)鍵字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  
共1829條 4/122 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473