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三星電子計劃明年擴大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺 EUV 光刻機
- IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級 DRAM。截至今
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組
- IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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DRAM大廠：消費端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營收為新臺幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計合并營收為新臺幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營收衰退達40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉(zhuǎn)進1Anm的進度仍舊持續(xù)，預(yù)期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導(dǎo)入意愿可能并不積極，預(yù)計
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1TB降到100元可期！SSD還要降價 原廠顆粒賣不動：內(nèi)存閃存市場價繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調(diào)研機構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個現(xiàn)象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計的開源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎，帶來了更多功能改進。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時間序列數(shù)據(jù)）的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！ ∫粋€值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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機構(gòu)預(yù)計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長。研究機構(gòu)在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機構(gòu)在報告中預(yù)計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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