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三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

  • 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米（
  • 關鍵字： EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5  DRAM  

第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案

  • 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學習與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產(chǎn)商與車輛制造
  • 關鍵字： ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
  • 關鍵字： SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

  • 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應DDR4
  • 關鍵字： 國產(chǎn)  DRAM  內(nèi)存  合肥長鑫  

南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

  • 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
  • 關鍵字： 存儲器  10nm  南亞科  DRAM  

三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑

  • 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

  • 從20nm技術節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
  • 關鍵字： DRAM   GIDL  

三星首次將EUV技術應用于DRAM生產(chǎn)

  • 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產(chǎn)中。
  • 關鍵字： 三星  EUV  DRAM  

三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

  • 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12
  • 關鍵字： 三星  DRAM  EUV  

TrendForce：2019年第四季量增抵銷價跌影響，DRAM產(chǎn)值較前季近持平

存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？

  • 據(jù)IDC預測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
  • 關鍵字： 存儲器、NAND、DRAM  

全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來大牛市 內(nèi)存將連漲7個季度

  • 最近的疫情危機給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內(nèi)存漲價要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內(nèi)存市場的發(fā)展趨勢，他認為內(nèi)存漲價將持續(xù)至少7個
  • 關鍵字： DRAM、內(nèi)存  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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