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中國不滿DRAM漲太兇，傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)

  • 韓國兩大存儲器廠三星、SK海力士傳被中國商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談，且被要求對中國科技廠調(diào)降存儲器售價(jià)。
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這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差，差距在于產(chǎn)業(yè)化

  • 　　特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場，但這幾個(gè)月，人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認(rèn)為，由于中國IGBT需要大量進(jìn)口，而這個(gè)產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持，對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個(gè)潛在的威脅。不過，在IGBT技術(shù)上，中國其實(shí)并不差，大量依賴進(jìn)口，并非技術(shù)水平不行?！　≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面，只是因?yàn)樯虡I(yè)上和其他一些原因。　　IGBT市場基本被外商壟斷　　IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
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韓、臺存儲器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期

  • 　　長期以來，我國的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來解決，市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。 　　以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29%，閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場份額之和達(dá)到了95%。 　　毫無疑問，現(xiàn)在存儲市場話語權(quán)仍被這幾
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在日美爭奪戰(zhàn)中起飛的韓國半導(dǎo)體

  • 　　韓國政府與企業(yè)的相互配合 　　1961年，樸正熙發(fā)動軍事政變奪取政權(quán)，以反對政治貪腐為名趕走了李承晚，建立了威權(quán)體制。樸正熙上臺之初宣布要嚴(yán)懲“腐敗政治”，發(fā)布了一份包含11位企業(yè)家的名單，要以“發(fā)不義之財(cái)”的名義逮捕他們。 　　排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的會長李秉喆。當(dāng)時(shí)，李秉喆滯留在日本，韓國政府遣人催促他回國，一番猶豫之后，李秉喆在日本開了新聞發(fā)布會，宣布所有家產(chǎn)全部捐獻(xiàn)國家，之后返回韓國。 　　當(dāng)時(shí)，樸正熙與李秉喆面談，作為有&l
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DRAM行業(yè)深度報(bào)告：期待國產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變?nèi)蚬┙o格局

  • 　　存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過95%，國產(chǎn)廠商開始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來將繼續(xù)拉動DRAM消費(fèi)增長。 　　三星領(lǐng)先優(yōu)勢明顯，傳統(tǒng)技術(shù)難以替代。三星于2017年開始量產(chǎn)第二
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報(bào)告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無奈，因?yàn)闆]有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強(qiáng)勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價(jià)格的飆升也帶動了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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經(jīng)濟(jì)學(xué)家紛紛加入芯片大討論，看時(shí)寒冰怎么蹭熱點(diǎn)

  • 　　在中興通訊遭美國禁售之后，有關(guān)芯片的討論非常激烈。 　　今天，中國芯片產(chǎn)業(yè)與國際的差距，已經(jīng)越來越大。而回首過去，中國其實(shí)曾經(jīng)擁有成為世界芯片強(qiáng)國的歷史機(jī)遇。改革開放后，中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。比如，1985年的時(shí)候，江蘇無錫的742廠就已經(jīng)能夠生產(chǎn)64K DRAM，這相當(dāng)于跟我國臺灣地區(qū)、韓國處在幾乎相同的起跑線上。1989年以后，西方制裁中國，給中國的芯片發(fā)展造成了非常大的阻力。這是中國芯片產(chǎn)業(yè)因此錯過的第一次機(jī)遇。 　　   　　盡管遭遇重重阻力，中國芯片產(chǎn)業(yè)依然在奮勇追趕。
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看日本芯片發(fā)展史展中興未來——亞洲芯片先驅(qū)之國

  • 在芯片等高科技領(lǐng)域，日本經(jīng)過多年的投入、研發(fā)、技術(shù)、人才的積累，使其在這一產(chǎn)業(yè)上游有著很強(qiáng)的話語權(quán)，要想強(qiáng)大，是沒有捷徑可走的。
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中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅(jiān)實(shí)一步

  • 中國的三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機(jī)臺預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。
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14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
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三星DRAM芯片利潤飆升 預(yù)計(jì)Q1利潤達(dá)137億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，由于全球存儲芯片市場空前的反彈，超過了逐漸放緩的智能手機(jī)和相關(guān)元件銷售，三星電子預(yù)計(jì)，周五公布的一季度利潤將會增長近50%。三星電子主營業(yè)務(wù)半導(dǎo)體的收入將占其總營業(yè)利潤近四分之三。分析師們預(yù)計(jì)，對于DRAM芯片來說，三星每賣出1美元，就能獲得約70美分的營業(yè)利潤。 　　元大證券韓國分析師Lee Jae-yun表示:“盡管存儲芯片的價(jià)格預(yù)計(jì)將從去年的繁榮期放緩，但出貨量的增加和成本削減將進(jìn)一步推動三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的利潤增長，并將利潤提升到另一個(gè)創(chuàng)紀(jì)錄的年份。”
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國半導(dǎo)體最受傷？

  • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進(jìn)口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
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存儲器/嵌入式存儲器的市場機(jī)會　

  • 美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預(yù)測，重點(diǎn)是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  NAND  汽車  攝像頭  201804  

DRAM漲風(fēng)不停 逐漸壓抑市場需求

  • 2017年1月與2018年1月DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升，電子系統(tǒng)制造商目前正在爭先恐后地調(diào)整和適應(yīng)DRAM價(jià)格的飛漲。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

2017年第四季服務(wù)器DRAM營收成長約13.9%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚(yáng)，三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。 　　DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進(jìn)入2018年第一季，在服務(wù)器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應(yīng)求的市況依然持續(xù)，而Server DR
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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