ddr-sdram 文章 進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區(qū)
DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑
- 據(jù)國外媒體報道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測,DRAM價格還將進(jìn)一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%,周二時跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營一家對內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響:第一,DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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SDRAM通用控制器的FPGA模塊化設(shè)計
- 引言 同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(SDRAM),在同一個CPU時鐘周期內(nèi)即可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新,其數(shù)據(jù)傳輸速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器(DRAM),被廣泛的應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中?;贔PGA的SDRAM控制器,以其可靠性高、可移植性強(qiáng)、易于集成的特點,已逐漸取代了以往的專用控制器芯片而成為主流解決方案。然而,SDRAM復(fù)雜的控制邏輯和要求嚴(yán)格的時序,成為開發(fā)過程中困擾設(shè)計人員主要因素,進(jìn)而降低了開發(fā)速度,而且大多數(shù)的基于FPGA的SDR
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ADSP-TS201的系統(tǒng)設(shè)計及外部總線接口技術(shù)
- 1 引言隨著雷達(dá)技術(shù)發(fā)展,大帶寬高分辨力、多種信號處理方式的采用,使得實時信號處理對數(shù)據(jù)的處理速度大大提高。同時在雷達(dá)信號處理中運(yùn)算量大,數(shù)據(jù)吞吐量急劇上升,對數(shù)據(jù)處理的要求不斷提高。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,作為數(shù)字信號處理的核心數(shù)字信號處理器(DSP)得到了快速的發(fā)展和應(yīng)用。ADSP-TS201DSP是美國模擬器件(ADD公司繼TSl01之后推出的一款高性能處理器。此系列DSP性價比很高,兼有FPGA和ASIC信號處理性能和指令集處理器的高度可編程性,適用于大存儲量、高性能、高速度的信號處理和圖像
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Altera實現(xiàn)對新的JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的支持
- Altera宣布,在FPGA業(yè)界實現(xiàn)了對高性能DDR3存儲器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)下,Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設(shè)計人員充分發(fā)揮DDR3存儲器的高性能和低功耗優(yōu)勢,這類存儲器在通信、計算機(jī)和視頻處理等多種應(yīng)用中越來越關(guān)鍵。 這些應(yīng)用處理大量的數(shù)據(jù),需要對高性能存儲器進(jìn)行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)可滿足DDR3存儲器的1.5V低功耗電壓供電要求,在下一
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DDR內(nèi)存接口的設(shè)計與實現(xiàn)
- 針對當(dāng)今電子系統(tǒng)對高速大容量內(nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來設(shè)計實現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
- 關(guān)鍵字: DDR 內(nèi)存 接口的設(shè)計
丹納赫傳動宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)
- 2007年6月8日,全球領(lǐng)先的運(yùn)動控制解決方案提供商——丹納赫傳動(Danaher Motion)公司宣布,其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動旋轉(zhuǎn)伺服電機(jī)(CDDR)新添三種小框架的新產(chǎn)品,因此,現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機(jī)供應(yīng),每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅(qū)動技術(shù)中非常特別的一種,其特點在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨(dú)特的無軸承設(shè)計,確??梢栽?0分鐘內(nèi)實現(xiàn)即裝即用,且沒有維護(hù)成本。
- 關(guān)鍵字: Cartridge DDR 丹納赫 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: NCP1570 NCP1571 ONSEMICONDUCTOR DDR
采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證
- 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實際測試。關(guān)鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域,圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
- 關(guān)鍵字: 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_設(shè)計天地 存儲器
愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器
- 愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器 通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器, 能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位 愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
- 關(guān)鍵字: ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾 單片機(jī) 工業(yè)控制 嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器 存儲器 工業(yè)控制
利用FPGA解決TMS320C54x與SDRAM的接口問題
- 在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中,需要大量外擴(kuò)存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如,在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中,為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖片或圖像暫存下來,需要將DSP處理后的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到外存中以備后用。從目前的存儲器市場看,SDRAM由于其性能價格比的優(yōu)勢,而被DSP開發(fā)者所青睞。DSP與SDRAM直接接口是不可能的。 FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)由于其具有使用靈活、執(zhí)行速度快、開發(fā)工具豐富的特點而越來越多地出現(xiàn)在現(xiàn)場電路設(shè)計中。本文用FPGA作為接口芯片,提供控制信號和定時信號,來實現(xiàn)DSP到SDRAM的數(shù)據(jù)存取。 1 SDRA
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DSP片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計
- 在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應(yīng)用場合,需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持,來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動態(tài)RAM(SDRAM)來擴(kuò)展嵌入式DSP系統(tǒng)存儲空間的方法,選用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片,詳細(xì)論述在基于TMS320C6201(簡稱C6201)的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設(shè)計方法的具體實現(xiàn)。 1 IS42S16400芯片簡介IS42S16400是ISSl公司推出的一種單片存儲容量高達(dá)64 Mb(即8 MB)的16位字寬高速SDRAM芯片。
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減少DDR記憶體驗負(fù)載的探測技術(shù)
- DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù),而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計最具挑戰(zhàn)性且費(fèi)時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具,但在成本與空間的限制下,邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個值得深思的問題。 理想上,DDR的可測試性應(yīng)成為最終設(shè)計的一部份,以利于在測試臺進(jìn)行系統(tǒng)的驗證,因為在整個產(chǎn)品生命周期中的工程設(shè)計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負(fù)載與空間需求,這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結(jié)合到產(chǎn)品的最初與最終
- 關(guān)鍵字: DDR 測量 測試
ddr-sdram介紹
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