ddr-sdram 文章進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區(qū)

SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應(yīng)用

任意波形發(fā)生器在雷達(dá)、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲(chǔ)器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲(chǔ)深度很難做得很大,從而不能精確地表達(dá)復(fù)雜信號(hào)。本文介紹的基于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SDRAM)的設(shè)計(jì)能有效解決這一問題,并詳細(xì)討論了一種簡(jiǎn)化SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方法。
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NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級(jí)單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長(zhǎng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC

基于NiosⅡ的圖像采集和顯示的實(shí)現(xiàn)

　　摘要：采用OV2610的CMOS圖像傳感器和26K色的TFT液晶屏，在SOPC上集成了OV2610、TFT液晶控制器和DMA控制器，實(shí)現(xiàn)了圖像數(shù)據(jù)流的采集和顯示。　　關(guān)鍵詞：DMA Avalon數(shù)據(jù)流模式 SDRAM 　　隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的進(jìn)步、制造工藝水平的提高以及單個(gè)芯片上的邏輯門數(shù)的增加，嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)變得日益復(fù)雜。把整個(gè)系統(tǒng)集成到一個(gè)芯片上,即片上系統(tǒng)SoC(System on Chip)技術(shù)是當(dāng)前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)研究熱點(diǎn)。在Altera公司提供的
關(guān)鍵字： SoC DMA Avalon數(shù)據(jù)流模式 SDRAM

TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲(chǔ)器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡(jiǎn)便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設(shè)計(jì)人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲(chǔ)器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺(tái)式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量存儲(chǔ)器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求。
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在DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器接口中使用調(diào)平技術(shù)

　　引言　　DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬，總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實(shí)現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會(huì)非常復(fù)雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調(diào)平技術(shù)，這一技
關(guān)鍵字： FPGA 存儲(chǔ)器 DDR3 SDRAM

Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲(chǔ)器電池備份的集成電源管理IC

　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲(chǔ)器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該P(yáng)MIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲(chǔ)器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個(gè)以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲(chǔ)卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
關(guān)鍵字： Maxim DDR 存儲(chǔ)器電源管理 IC

SDRAM接口的VHDL設(shè)計(jì)

　　RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器　是一種在電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的器件，通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，RAM獲得了飛速的發(fā)展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動(dòng)態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動(dòng)態(tài)RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存儲(chǔ)器的容量和速度已經(jīng)成為半導(dǎo)體工業(yè)水平的標(biāo)志。　?。?任務(wù)背景　　SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點(diǎn)，目前其存取速度可以達(dá)到100～133MHz，單片容量可以達(dá)到64Mbit或更高
關(guān)鍵字： VHDL SDRAM 存儲(chǔ)器微處理器

高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時(shí)序控制分析

　　在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中，使用大容量存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲(chǔ)器。　　但是，在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時(shí)序抖動(dòng)問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機(jī)的生產(chǎn)實(shí)際應(yīng)用中，不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時(shí)鐘頻率的不同，及SDRAM型號(hào)和器件一致性不同等原因，都會(huì)帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時(shí)序的抖動(dòng)問題。　　本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時(shí)序補(bǔ)償機(jī)制，設(shè)計(jì)了一個(gè)方便使
關(guān)鍵字： SDRAM 數(shù)字電視

全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織委員會(huì)會(huì)議在上海舉行推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定

　　隨著筆記本電腦、手機(jī)等移動(dòng)終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長(zhǎng)，器的移動(dòng)性和能耗問題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前，(全球半導(dǎo)體組織)委員會(huì)會(huì)議在上海舉行，推動(dòng)存儲(chǔ)工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定。　　在過去五年內(nèi)，JEDEC曾與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)組織合作，促進(jìn)中國(guó)及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(CESA)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)與中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)研究所(CESI)等。　　我國(guó)企業(yè)已占JEDEC會(huì)員數(shù)的20%，而且數(shù)目還在增長(zhǎng)。JEDEC本次會(huì)議主要研究了DDR3 SDRAM（第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
關(guān)鍵字： SDRAM DRAM

基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計(jì)采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對(duì)DDR SDRAM的控制，以狀態(tài)機(jī)來描述對(duì)DDR SDRAM的各種時(shí)序操作，設(shè)計(jì)了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡(jiǎn)化對(duì)DDR SDRAM的操作，并采用自頂至下模塊化的設(shè)計(jì)方法，將控制核嵌入到整個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中，完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲(chǔ)及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對(duì)控制器的工作流程進(jìn)行了驗(yàn)證和調(diào)試。最終采集到的
關(guān)鍵字： FPGA DDR SDRAM 數(shù)據(jù)采集

針對(duì)DDR供電飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品

　　模擬市場(chǎng)正在茁壯成長(zhǎng)，按照12%的年復(fù)增長(zhǎng)率估算，將超過許多其他的數(shù)字IC市場(chǎng)。在這樣的發(fā)展速度下，據(jù)預(yù)測(cè)，模擬市場(chǎng)將在2012年達(dá)到680億美元，屆時(shí)將實(shí)現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場(chǎng)的最大消費(fèi)區(qū)域，但設(shè)計(jì)和生產(chǎn)遍布在世界各地。　　模擬市場(chǎng)是一個(gè)高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)，一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品，而另一些則進(jìn)行全面組合，以覆蓋各個(gè)領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品，事實(shí)上，新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn)，尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面，但是進(jìn)入這一領(lǐng)域的門檻依然很高，由于工程人才，渠道力量和全球?qū)?/li>
關(guān)鍵字： DDR 飛思卡爾 200802

片上SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與集成

　　隨著設(shè)計(jì)與制造技術(shù)的發(fā)展,集成電路設(shè)計(jì)從晶體管的集成發(fā)展到邏輯門的集成, 現(xiàn)在又發(fā)展到IP的集成,即SoC設(shè)計(jì)技術(shù)。SoC可以有效地降低電子信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本,縮短開發(fā)周期,提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力,是工業(yè)界將采用的最主要的產(chǎn)品開發(fā)方式。目前國(guó)內(nèi)也加大了在SoC 設(shè)計(jì)以及IP 集成領(lǐng)域的研究。本文介紹的便是國(guó)家基金項(xiàng)目支持的龍芯SoC—ICT- E32 設(shè)計(jì)所集成的片上SDRAM 控制器模塊設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。　　1 　ICT-E32 體系結(jié)構(gòu) 　　ICT-E32 是一款32位高性能SoC ,它集成龍芯1號(hào)
關(guān)鍵字： SoC SDRAM 控制器 MCU和嵌入式微處理器

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計(jì)

DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個(gè)架構(gòu)毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實(shí)現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計(jì)呢？　　關(guān)鍵字：均衡（leveling）　　如果FPGA&nbs
關(guān)鍵字： FPGA DDR3 SDRAM 接口模擬IC 電源

高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時(shí)序控制分析

　　在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中，使用大容量存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲(chǔ)器。　　但是，在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時(shí)序抖動(dòng)問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機(jī)的生產(chǎn)實(shí)際應(yīng)用中，不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時(shí)鐘頻率的不同，及SDRAM型號(hào)和器件一致性不同等原因，都會(huì)帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時(shí)序的抖動(dòng)問題。　　本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時(shí)序補(bǔ)償機(jī)制，設(shè)計(jì)了一個(gè)方便使
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) SDRAM 時(shí)序控制 MCU和嵌入式微處理器

集邦：9月下旬DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)下滑10%

DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)需求不佳，整體報(bào)價(jià)呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%，價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價(jià)皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場(chǎng)需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價(jià)格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價(jià)格跌破5月低點(diǎn)后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈，間接帶動(dòng)了些許買氣。而合約市場(chǎng)方面，由于現(xiàn)貨價(jià)格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫(kù)存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動(dòng)作。
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器