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TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣(mài)方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位，庫(kù)存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
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三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門(mén)將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！　〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿(mǎn)足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

  • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過(guò)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
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CXL標(biāo)準(zhǔn)成為現(xiàn)實(shí)：三星推出首款CXL內(nèi)存模塊

  • 早在3月初，三星就發(fā)布了首個(gè)DDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片。而近日，三星又公布了目前世界上首款CXL協(xié)議的DDR5內(nèi)存，該內(nèi)存將被用于服務(wù)器領(lǐng)域。三星稱(chēng)，基于CXL的DDR5內(nèi)存模塊采用了EDSFF尺寸，這允許服務(wù)器系統(tǒng)極大地提升內(nèi)存容量和帶寬。新的內(nèi)存模塊甚至可將內(nèi)存容量拓展到TB級(jí)別，減少內(nèi)存緩存所引起的系統(tǒng)延遲，并可加強(qiáng)服務(wù)器系統(tǒng)地機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一種開(kāi)放式互連新標(biāo)準(zhǔn)，于2019年由英特爾、谷歌等巨頭牽頭開(kāi)發(fā)的。它主要面向CPU
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CXL、CCIX和SmartNIC助力 PCIe 5加速飛奔

  •   過(guò)去三十年間，基于服務(wù)器的運(yùn)算歷經(jīng)多次飛躍式發(fā)展。在1990年代，業(yè)界從單插槽獨(dú)立服務(wù)器發(fā)展到服務(wù)器群集。緊接著在千禧年，產(chǎn)業(yè)首次看到雙插槽服務(wù)器；在這之后，多核處理器也相繼問(wèn)世。進(jìn)入下一個(gè)十年，GPU的用途遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了繪圖處理的范疇，我們見(jiàn)證了基于FPGA的加速器卡的興起。邁入2020年，SmartNIC網(wǎng)絡(luò)適配器（network interface card；NIC），即數(shù)據(jù)處理單元（DPU）開(kāi)始風(fēng)靡。它們大量采用FPGA、多核Arm叢集或是兩者混合運(yùn)用，每種作法都能大幅提高解決方案的效能
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美光專(zhuān)家對(duì)1α節(jié)點(diǎn)DRAM的解答

  • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)1α 節(jié)點(diǎn)DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說(shuō)是收縮
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2021年DRAM與NAND增長(zhǎng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

  • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，該公司舉辦了線上媒體溝通會(huì)，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對(duì)DRAM、NAND的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(zhǎng)19%展望2021年，全球GDP增長(zhǎng)約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲(chǔ)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

  • 存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長(zhǎng)Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車(chē)電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。目前主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在DRAM領(lǐng)域，韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱(chēng)，預(yù)期今
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％

  • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日?qǐng)?bào)道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國(guó)對(duì)華為的制裁所致，這加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據(jù)市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì)，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對(duì)比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲(chǔ)卡和用于 USB 的多層單元存儲(chǔ)（MLC）
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完全漲不動(dòng)：內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底

  • 根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。簡(jiǎn)單回顧下，內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開(kāi)始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動(dòng)了PC等設(shè)備的需求增長(zhǎng)，內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈，但持續(xù)的時(shí)間并不長(zhǎng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來(lái)說(shuō)，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無(wú)論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者，其季節(jié)性的購(gòu)買(mǎi)行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤(pán)了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

  • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個(gè)多月之后，終于迎來(lái)了接盤(pán)者————成都高真科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊(cè)資本51.091億元人民幣。經(jīng)營(yíng)范圍包括：“銷(xiāo)售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、計(jì)算機(jī)、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲(chǔ)器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開(kāi)發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開(kāi)發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗(yàn)鑒定、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、民用核安全設(shè)備無(wú)損檢驗(yàn)、
  • 關(guān)鍵字： 格芯成都  DRAM  

HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

  • 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長(zhǎng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計(jì)算機(jī)硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長(zhǎng)了30萬(wàn)倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
  • 關(guān)鍵字： ADAS  ML  DRAM  內(nèi)存  
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cxl dram介紹

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