cxl dram 文章 進(jìn)入cxl dram技術(shù)社區(qū)
IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r(jià)格走勢造成影響?！ 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。 目前，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺灣檢察機(jī)關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！ ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
重拳！美芯片巨頭在華遭禁售
- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權(quán)行為。而這是中國發(fā)展半導(dǎo)體一路被指稱“竊密”和“侵權(quán)”以來，首次成功重拳回?fù)簟?/li>
- 關(guān)鍵字： 芯片，美光，DRAM
傳三星、SK海力士18nm DRAM出現(xiàn)良率問題，市場價(jià)格增添變量
- 受惠于市場需求強(qiáng)力推升，服務(wù)器存儲器供應(yīng)持續(xù)吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題，應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調(diào)，但多家臺灣地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預(yù)計(jì)最快1~2個(gè)月左右應(yīng)可改善良率，但由于第3季DRAM價(jià)格預(yù)期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應(yīng)求，將為下半年市場價(jià)格漲幅投下變量?！ 「鶕?jù)市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質(zhì)量疑慮，并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨，且在改善
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
DRAM漲價(jià)驅(qū)動，全球服務(wù)器銷額增33%、高于銷量升幅
- Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務(wù)器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%?！ artner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務(wù)器市場是由超大規(guī)模(Hyperscale)數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)與中型數(shù)據(jù)中心支出攀高所驅(qū)動。他還提到，服務(wù)器第1季銷售均價(jià)上揚(yáng)的原因之一是DRAM價(jià)格因供給吃緊而走高。 Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2018年第1季北美服務(wù)器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%，亞太分別成長47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
- 關(guān)鍵字： DRAM
中國存儲芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間
- 受中美競爭特別是中興事件的影響，國內(nèi)對芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高，而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國存儲芯片企業(yè)有機(jī)會打破當(dāng)前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過要打破這一局面還需要時(shí)間?！ ∶廊枕n壟斷存儲芯片市場 存儲芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們?nèi)粘Ｒ姷降漠a(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤，這兩類產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用，而且隨著各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯，這也導(dǎo)致存儲芯片價(jià)格自2016年
- 關(guān)鍵字： 芯片，DRAM
無錫SK海力士工廠突發(fā)火災(zāi)，DRAM又要漲價(jià)了？
- SK海力士在無錫可謂多災(zāi)多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí)，2013年又發(fā)生重大火災(zāi)，都有大量晶圓報(bào)廢，對全球DRAM內(nèi)存、NAND閃存供應(yīng)造成重大影響。
- 關(guān)鍵字： SK海力士，DRAM
中國不滿DRAM漲太兇，傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)
- 韓國兩大存儲器廠三星、SK海力士傳被中國商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談，且被要求對中國科技廠調(diào)降存儲器售價(jià)?！ №n國媒體KoreaTimes.com報(bào)導(dǎo)，去年存儲器價(jià)格飛漲不停，大幅侵蝕中國智能手機(jī)、PC廠的利潤，中國政府要求三星與SK海力士降價(jià)顯然為此而來。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球75%的DRAM供給掌握在三星、SK海力士的手里?！ ≈袊翼n國存儲器雙雄的碴，背后還有其它動機(jī)，推測應(yīng)該與技術(shù)交叉授權(quán)有關(guān)。熟知內(nèi)情的人士指出，盡管三星、SK海力士都在中國設(shè)廠，但產(chǎn)品采用的技術(shù)落后韓國廠至少兩個(gè)世代，且極少交叉授
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應(yīng)求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！ ∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！ ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求，對今年整體營運(yùn)表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差，差距在于產(chǎn)業(yè)化
- 特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場，但這幾個(gè)月，人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認(rèn)為，由于中國IGBT需要大量進(jìn)口，而這個(gè)產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持，對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個(gè)潛在的威脅。不過，在IGBT技術(shù)上，中國其實(shí)并不差，大量依賴進(jìn)口，并非技術(shù)水平不行?！ ≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面，只是因?yàn)樯虡I(yè)上和其他一些原因?！ GBT市場基本被外商壟斷 IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
- 關(guān)鍵字： IGBT DRAM
韓、臺存儲器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期
- 長期以來，我國的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來解決，市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。 以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29%，閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場份額之和達(dá)到了95%。 毫無疑問，現(xiàn)在存儲市場話語權(quán)仍被這幾
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
在日美爭奪戰(zhàn)中起飛的韓國半導(dǎo)體
- 韓國政府與企業(yè)的相互配合 1961年，樸正熙發(fā)動軍事政變奪取政權(quán)，以反對政治貪腐為名趕走了李承晚，建立了威權(quán)體制。樸正熙上臺之初宣布要嚴(yán)懲“腐敗政治”，發(fā)布了一份包含11位企業(yè)家的名單，要以“發(fā)不義之財(cái)”的名義逮捕他們。 排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的會長李秉喆。當(dāng)時(shí)，李秉喆滯留在日本，韓國政府遣人催促他回國，一番猶豫之后，李秉喆在日本開了新聞發(fā)布會，宣布所有家產(chǎn)全部捐獻(xiàn)國家，之后返回韓國。 當(dāng)時(shí)，樸正熙與李秉喆面談，作為有&l
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM行業(yè)深度報(bào)告：期待國產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變?nèi)蚬┙o格局
- 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過95%，國產(chǎn)廠商開始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來將繼續(xù)拉動DRAM消費(fèi)增長。 三星領(lǐng)先優(yōu)勢明顯，傳統(tǒng)技術(shù)難以替代。三星于2017年開始量產(chǎn)第二
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
cxl dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cxl dram相關(guān)帖子
cxl dram資料下載
cxl dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473