新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > DRAM降價將會比預期更猛,明年對于存儲器來說將是難熬的一年

DRAM降價將會比預期更猛,明年對于存儲器來說將是難熬的一年

作者: 時間:2018-12-03 來源:芯科技 收藏

  內(nèi)存降價已是必然,內(nèi)存大廠已紛紛消減明年產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止,降的時候看來勢頭會比預期更狠。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201812/395151.htm

  瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關于內(nèi)存市場的分析報告,雖然維持美光公司的中性評級,但他下調(diào)了美光的目標股價,從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價幅度要高于預期,之前分析認為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價格降幅達到10-15%,而且NAND閃存價格也會降10-15%。

  此前,eXchange預計2019年全年DRAM平均銷售單價的跌幅可能達到20%。

  業(yè)內(nèi)人士認為,風光了幾年產(chǎn)生的爆炸式產(chǎn)能的市場,一旦遇上需求降低,價格持續(xù)走低也是在所難免,再者中美貿(mào)易戰(zhàn)導致全球經(jīng)濟動蕩不安,預示著半導體行業(yè)即將全面進入低谷期。

  最近,中國對于DRAM三大廠進行反壟斷調(diào)查更是等于在DRAM市場的傷口上狠狠地撒了把鹽。



關鍵詞: DRAM 存儲器

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉