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再遭重擊!聯(lián)電單方面宣布暫停與晉華合作

  •   周一下午,美國商務部突然發(fā)難,以威脅國家安全為由,將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實施緊急禁售令,禁止美國企業(yè)向后者出售零部件、軟件和技術(shù)產(chǎn)品。分析師認為,基于本次美國商務部聲明中稱,“福建晉華將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力,同時認為這家中國制造商生產(chǎn)能力的擴大很可能得益于‘源自美國的科技’”,本次禁令可視為此前美光-聯(lián)電-晉華三者間專利糾紛的延續(xù)與深化?! 「鶕?jù)聲明,美國企業(yè)必須持有特定許可證,才能向晉華出口零件、軟件、技術(shù)產(chǎn)品和服務,美國商務部希望通過出口禁令,限制晉華威脅美
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美國商務部禁售福建晉華公司:DRAM生產(chǎn)能力威脅美國國家安全

  •   10月29日,美國商務部在官網(wǎng)發(fā)布公告稱,將對福建省晉華集成電路有限公司實施禁售,自10月30日起正式實施。  具體來說,自30日起,美國商務部限制了美國公司對福建晉華的出口,并將其加入到了禁售清單。  美國商務部稱晉華公司構(gòu)成了參與違反美國國家安全利益的活動,有重大風險?! ∩虅詹空J為晉華公司即將獲得大規(guī)模生產(chǎn)DRAM的能力,而這可能源于美國技術(shù),而且量產(chǎn)也會威脅到美國軍用系統(tǒng)的供應商的長期經(jīng)營能力?! ∩虅詹块L羅斯表示:“當外國公司從事違反國家安全利益的活動時,我們將采取有力措施保護我們的國家安全
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國內(nèi)廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓,有望實現(xiàn)“彎道超車”

  • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚,我國作為全球最重要的存儲器市場,在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭,有望實現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”,在全球競爭中占有一席之地。
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DRAM終迎降價潮 會是國產(chǎn)廠商的利好嗎?

  • DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲,但隨著技術(shù)漸入瓶頸,加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響,市場中DRAM漸趨供過于求,進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況,對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
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聚焦安全芯片,紫光國微將DRAM業(yè)務2.2億轉(zhuǎn)讓給紫光存儲

  •   10月11日晚間,紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告,將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)?! “凑展娴恼f法,過去幾年里,西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領(lǐng)域的先進技術(shù),持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入,但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制,短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟,經(jīng)營壓力加大,資產(chǎn)負債率不斷提高,已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營,給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力,其
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“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的?

  • DRAM芯片漲價不斷,三家壟斷企業(yè)賺翻了天,凈利潤高達50%以上,對于很多中小企業(yè)而言,它們也想改變DRAM市場的格局,很多國家想過通過“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀,但仍舊無濟于事。
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DRAM內(nèi)存市場已經(jīng)為寡頭壟斷,時代變了,別再等漲跌循環(huán)了

  • 內(nèi)存漲價今年底也要到頭了,投行機構(gòu)也看衰內(nèi)存行業(yè)前景,認為明年內(nèi)存價格會跌,不過在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠商來看,內(nèi)存市場已經(jīng)變天了,已經(jīng)變成寡頭壟斷,不能再用以前的漲跌周期來看待了。
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紫光國微:公司DRAM芯片與三星有很大差距,DDR4仍是主流產(chǎn)品

  • 今年7月,三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對此,有投資者在互動平臺上提問,這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  •   近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位?! ?014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長,目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目,代工廠、DRAM和3D
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今年全球半導體支出將首次突破1000億美元,內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂

  •   IC Insights預測,今年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%,比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%,其中,閃存占資本支出的份額最大,而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?! ∪鐖D所示,超過一半的行業(yè)資本支出預計用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn),包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設施的升級。總的來說,預計今年內(nèi)存將占到半導體資本支出的53%,達到
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全球前15大半導體廠商排名:7家年增20%以上,中國大陸無一上榜

  •   8月20日,研究機構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單,三星位居第一位,英特爾位居第二位。不過遺憾的是,中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?! 「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位,相較于去年同期,這幾家公司都有比較明顯的增長,特別是三星、SK海力士以及鎂光,分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里,英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼,相較于去年同期,英偉
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集邦咨詢:DRAM價格已近高點

  •   根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù),帶動整體DRAM報價走揚,DRAM總營收較上季成長11.3%,再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有15%顯著上漲外,其余各應用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?! ≌雇谌緝r格走勢,DRAMeXchange指出,PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看,均價已來到34.5美元,較前一季上漲約1.5%
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新一輪手機漲價潮,供應鏈和新技術(shù)要“背鍋”

  • 智能手機的漲價潮已然是一種普遍現(xiàn)象,Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始,曾經(jīng)標售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
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第三季利基型DRAM價格持平,DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

  •   根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查,DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價,價格大致和6月相同。展望第三季,預期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標準型與服務器內(nèi)存,因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu),報價預期沒有明顯變動。整體而言,第三季利基型內(nèi)存價格走勢預估將持平?! DR3具成本優(yōu)勢,短期仍為利基型記內(nèi)存主流  就產(chǎn)品應用種類觀察,首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視,今年出貨量持穩(wěn),約為2.157億臺。不過
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閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  •   幾年前突然“大火”的存儲行情,給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然,市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價的趨勢,有望持續(xù)到 2019 上半年?! RAMeXchange 報告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價格,預計將下降 10% 。集邦認為,市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能,是推動這一趨勢的主要原因。
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